[发明专利]一种MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管

说明书

本申请提供一种MOS晶体管制作方法及MOS晶体管，所述MOS晶体管制作方法，在离子注入形成源漏极之后，栅极形成之前，对预设区域进行额外离子注入，通过额外的离子注入工艺可以形成更多的非桥键氧，通过后续退火工艺，所述非桥键氧可以扩散到Si/SiO₂界面，填补氧空位，从而改善界面的性质，使得界面的陷阱空穴数量减少，从而避免在辐照作用下，出现漏电的情况，提高了高压MOS管的抗辐照能力。

技术领域

本发明涉及半导体器件制作技术领域，尤其涉及一种MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管。

背景技术

MOS管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，随着集成电路的密度越来越大，器件的尺寸越来越小，栅氧化层的厚度不断减薄，辐照在栅氧化层中电离效应对集成电路的影响也在减弱。当栅氧化层厚度小于10nm时，栅氧化层的电离辐照效应对器件造成的影响可以忽略。

对于高压器件而言，如图1a和图1b所示，其中，图1a为传统高压MOS晶体管的俯视结构示意图，图1b为沿图1a中传统高压MOS晶体管的CC’线截面得到的剖面结构示意图；传统高压MOS晶体管包括衬底11，位于衬底11上的有源区12，以及位于所述有源区12的栅极14，栅极14和有源区12之间还设置有栅氧化层13，栅氧化层13的厚度越厚，高压MOS晶体管承受的高压越大；因此，为了满足高压器件的要求，栅氧化层的厚度不能过小。

但当栅氧化层的厚度大于某一临界值，则辐照必定会在介质表面、内部和周围产生缺陷，从而导致器件的漏电流产生。因此，高压MOS晶体管的辐照产生的漏电较为严重，如何降低高压MOS晶体管辐照漏电成为亟待解决的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管，以解决现有技术中高压MOS晶体管的辐照漏电较为严重的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种MOS晶体管制作方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浅沟槽隔离结构，将所述浅沟槽隔离结构之外的区域作为有源区；

在所述有源区上形成栅氧化层；

在所述栅氧化层的两侧进行源漏区域的离子注入，形成源极和漏极；

对预设区域进行额外离子注入，所述预设区域为相邻两个所述MOS晶体管的栅极之间的所述有源区的一部分，或者所述有源区和所述浅沟槽隔离结构的一部分；

在所述栅氧化层上形成栅极。

优选地，所述额外离子注入的注入离子包括第III族元素离子或第VII族元素离子。

优选地，所述额外离子注入的离子注入剂量与所述MOS晶体管的抗辐照性能指标成正相关关系。

优选地，当所述MOS晶体管中的多个MOS晶体管均位于同一个有源区内时，所述对预设区域进行额外离子注入，具体包括：

形成掩膜层，所述掩膜层至少覆盖相邻两个所述MOS晶体管的栅极之间的所述有源区的一半，所述掩膜层的开口对应所述预设区域；

对所述预设区域进行额外离子注入。

优选地，当所述MOS晶体管中的多个MOS晶体管均位于不同有源区内时，所述对预设区域进行额外离子注入，具体包括：

形成掩膜层，所述掩膜层至少覆盖相邻两个所述MOS晶体管的栅极之间的所述有源区以及所述浅沟槽隔离结构的一部分，所述掩膜层的开口对应所述预设区域；

对所述预设区域进行额外离子注入。