[发明专利]一种MOS晶体管的制作方法及MOS晶体管

权利要求书

1.一种MOS晶体管制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有浅沟槽隔离结构，将所述浅沟槽隔离结构之外的区域作为有源区；

在所述有源区上形成栅氧化层；

在所述栅氧化层的两侧进行源漏区域的离子注入，形成源极和漏极；

对预设区域进行额外离子注入，所述预设区域为相邻两个所述MOS晶体管的栅极之间的所述有源区的一部分，或者所述有源区和所述浅沟槽隔离结构的一部分；

在所述栅氧化层上形成栅极。

2.根据权利要求1所述的MOS晶体管制作方法，其特征在于，所述额外离子注入的注入离子包括第III族元素离子或第VII族元素离子。

3.根据权利要求1所述的MOS晶体管制作方法，其特征在于，所述额外离子注入的离子注入剂量与所述MOS晶体管的抗辐照性能指标成正相关关系。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的MOS晶体管制作方法，其特征在于，当所述MOS晶体管中的多个MOS晶体管均位于同一个有源区内时，所述对预设区域进行额外离子注入，具体包括：

形成掩膜层，所述掩膜层至少覆盖相邻两个所述MOS晶体管的栅极之间的所述有源区的一半，所述掩膜层的开口对应所述预设区域；

对所述预设区域进行额外离子注入。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的MOS晶体管制作方法，其特征在于，当所述MOS晶体管中的多个MOS晶体管均位于不同有源区内时，所述对预设区域进行额外离子注入，具体包括：

形成掩膜层，所述掩膜层至少覆盖相邻两个所述MOS晶体管的栅极之间的所述有源区以及所述浅沟槽隔离结构的一部分，所述掩膜层的开口对应所述预设区域；

对所述预设区域进行额外离子注入。

6.一种MOS晶体管，其特征在于，采用权利要求1-5任意一项所述的MOS晶体管制作方法制作形成，所述MOS晶体管包括：

衬底；

位于所述衬底上的浅沟槽隔离结构，和位于所述浅沟槽隔离结构之外区域的有源区；

位于所述有源区上的栅极氧化层；

位于所述栅极氧化层背离所述衬底一侧的栅极；

其中，所述栅极两侧的有源区分别为源极和漏极。

7.根据权利要求6所述的MOS晶体管，其特征在于，包括一个有源区和多个MOS晶体管，所述多个MOS晶体管位于同一个所述有源区内。

8.根据权利要求6所述的MOS晶体管，其特征在于，包括多个有源区和多个MOS晶体管，所述多个MOS晶体管分别位于不同的所述有源区内。

9.根据权利要求6所述的MOS晶体管，其特征在于，包括多个有源区和多个MOS晶体管，所述多个MOS晶体管中的部分MOS晶体管位于同一个所述有源区内，其余MOS晶体管位于不同的有源区内。