[发明专利]一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法和装置

说明书

本公开提供了一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法和装置，选取至少一个影响工艺结果的因素，获取因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子，调节因子使因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值与输入值的差值在预设精度范围内，基于调节因子，设定因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值，以使因素在不同反应腔室工艺时的真实值匹配，从而使不同反应腔室的工艺结果匹配。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法和装置。

背景技术

在集簇式半导体设备中，一个机台通常带多个(2到6个)反应腔室。这些反应腔室的硬件结构相同，使用同一传输平台进行硅片传输，使用相同软件进行控制，可以运行不同或相同工艺。

在生产过程中，为保证产品的质量，需要不同腔室在运行相同工艺情况下，生产出的产品具有相同的结果。不同腔室的硬件结构及硬件安装会存在细微的差别，这些因素结合起来，就使不同腔室之间匹配调节变得比较复杂困难。

在实际装机调整过程中，参见图1所示，不同腔室的调节都是通过运行相同的工艺，查看工艺结果，调整硬件结构及硬件器件设置，通过多次工艺及测试，调整工艺结果，使腔室之间大致匹配。在这样的调整过程中，会花费较多的时间，需要使用较多的测试用生产片，并且测试片工艺结束后还要测量结果，然后调节修改硬件参数，这样花费大量的时间及人力物力。

申请人在实现本公开的过程中，发现现有技术存在如下缺陷：

1、半导体设备对精度要求非常高，调整不同腔室硬件结构，对硬件的要求非常高，并且因为硬件部分非常多，硬件组装的误差也会比较复杂，这样差异性在所难免，因此通过调整硬件结构的方法比较困难。

2、通过使用工艺测试片运行工艺，调节工艺结果的方法，会花费较多的时间及人力物力。而且在变换工艺时，经常会需要重新调试不同腔室的匹配。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法，包括：选取至少一个影响工艺结果的因素；获取所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子，所述调节因子使所述因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值与输入值的差值在预设精度范围内；基于所述调节因子，设定所述因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值，以使所述因素在不同反应腔室工艺时的真实值匹配，从而使不同反应腔室的工艺结果匹配。

在本公开的一些实施例中，所述因素包括射频功率、工艺气体流量和腔室温度。

在本公开的一些实施例中，所述获取所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子包括：设置所述因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值，获取所述因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值；根据所述输入值与真实值之间的差值，通过拟合的方式获取所述调节因子。

在本公开的一些实施例中，所述拟合为线性拟合或曲线拟合。

在本公开的一些实施例中，所述基于所述调节因子，设定所述因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值，以使所述因素在不同反应腔室工艺时的真实值匹配，从而使不同反应腔室的工艺结果匹配包括：基于所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子，设置所述因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值，不同反应腔室基于所述因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值运行同一工艺；判断所述因素在不同反应腔室工艺时的真实值是否匹配；如果匹配，则保存所述调节因子，用于使不同反应腔室的工艺结果匹配；如果不匹配，则返回执行获取所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子的步骤，调整所述调节因子，直至不同反应腔室的工艺结果匹配。

在本公开的一些实施例中，在所述获取所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子之前还包括：调整反应腔室的硬件结构和硬件配置参数。