[发明专利]一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法和装置有效
申请号: | 201711223402.8 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN107968042B | 公开(公告)日: | 2020-07-17 |
发明(设计)人: | 张继宏;付金生 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100176*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 不同 反应 之间 工艺 结果 匹配 方法 装置 | ||
1.一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配方法,包括:
选取至少一个影响工艺结果的因素;
获取所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子,所述调节因子使所述因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值与输入值的差值在预设精度范围内;
基于所述调节因子,设定所述因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值,以使所述因素在不同反应腔室工艺时的真实值匹配,从而使不同反应腔室的工艺结果匹配;
所述基于所述调节因子,设定所述因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值,以使所述因素在不同反应腔室工艺时的真实值匹配,从而使不同反应腔室的工艺结果匹配包括:
基于所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子,设置所述因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值,不同反应腔室基于所述因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值运行同一工艺;
判断所述因素在不同反应腔室工艺时的真实值是否匹配;
如果匹配,则保存所述调节因子,用于使不同反应腔室的工艺结果匹配;
如果不匹配,则返回执行获取所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子的步骤,调整所述调节因子,直至不同反应腔室的工艺结果匹配。
2.如权利要求1所述的匹配方法,所述因素包括射频功率、工艺气体流量和腔室温度。
3.如权利要求1所述的匹配方法,所述获取所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子包括:
设置所述因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值,获取所述因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值;
根据所述输入值与真实值之间的差值,通过拟合的方式获取所述调节因子。
4.如权利要求3所述的匹配方法,所述拟合为线性拟合或曲线拟合。
5.如权利要求1所述的匹配方法,在所述获取所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子之前还包括:调整反应腔室的硬件结构和硬件配置参数。
6.一种不同反应腔室之间工艺结果的匹配装置,包括:
选取模块,用于选取至少一个影响工艺结果的因素;
获取模块,用于获取所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子,所述调节因子使所述因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值与输入值的差值在预设精度范围内;
匹配模块,用于基于所述调节因子,设定所述因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值,以使所述因素在不同反应腔室工艺时的真实值匹配,从而使不同反应腔室的工艺结果匹配;
所述匹配模块包括:
工艺运行子模块,用于基于所述因素在不同反应腔室工艺时所对应的调节因子,设置所述因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值,不同反应腔室基于所述因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值运行同一工艺;
判断子模块,用于判断所述因素在不同反应腔室工艺时的真实值是否匹配,若是,则触发保存子模块,否则触发循环执行子模块;
保存子模块,用于保存所述调节因子,用于使不同反应腔室的工艺结果匹配;
循环执行子模块,用于触发获取模块,调整所述调节因子,直至不同反应腔室工艺结果匹配。
7.如权利要求6所述的匹配装置,所述因素包括射频功率、工艺气体流量和腔室温度。
8.如权利要求6所述的匹配装置,所述获取模块包括:
真实值获取子模块,用于设置所述因素在其对应的反应腔室工艺时的输入值,获取所述因素在其对应的反应腔室工艺时的真实值;
调节因子获取子模块,用于根据所述输入值与真实值之间的差值,通过拟合的方式获取所述调节因子。
9.如权利要求8所述的匹配装置,所述拟合为线性拟合或曲线拟合。
10.如权利要求6所述的匹配装置,还包括:调整模块,用于调整反应腔室的硬件结构和硬件配置参数。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司,未经北京北方华创微电子装备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711223402.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种铜锌锡硫薄膜的制备方法
- 下一篇:应变GeCMOS器件及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造