[发明专利]一种钕铁硼磁体的制备方法

权利要求书

1.一种钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1：将商业钕铁硼磁体沿取向力方向加工成8～12mm厚，得基础钕铁硼磁体，然后将基础钕铁硼磁体浸泡在体积浓度为3～5％的盐酸溶液或体积浓度为3～5％的硝酸溶液中，然后在真空条件下对浸泡在盐酸溶液或硝酸溶液中的钕铁硼薄片进行超声波处理5～10min，再于120～140℃环境中干燥20～120min；

步骤2：将扩散合金片附着在步骤1处理后的基础钕铁硼磁体的上下表面，然后放在热压炉中，对热压炉抽真空，待真空度达到1×10^-2Pa以下，对热压炉升温，当温度达到700～800℃时，开始施加压力20～30MPa，并保压7～10h，然后泄压至常压，接着又重新热压炉抽真空，待真空度达到1×10^-2Pa以下，继续升温至850～950℃，保温1～2h；

步骤3：将步骤2扩散后的试样在真空炉中于500～600℃条件下进行退火处理，再于400～450℃条件下进行退火处理，得目标产物；

其中所述扩散合金片为低熔点扩散合金R1-R2-TM，其中R1为Pr或Nd，R2为Dy或Tb，TM为Cu、Al、Zn或Fe中的任意一种。

2.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤1中超声波处理的功率为700～800W，温度为40～50℃。

3.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，所述扩散合金片的厚度为0.1～0.25mm。

4.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，步骤3中在500～600℃条件下退火处理的时间为1～5h，在400～450℃条件下退火处理的时间为1～3h。