[发明专利]根据电路设计图形设置扫描阈值的方法有效
申请号: | 201711220974.0 | 申请日: | 2017-11-29 |
公开(公告)号: | CN108039326B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 陈超;郭贤权;许向辉;陈昊瑜 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G06T7/00;G06T7/136 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 根据 电路设计 图形 设置 扫描 阈值 方法 | ||
本发明公开了一种根据电路设计图形设置扫描阈值的方法,在光学检测机台内增加一个包含有电路设计图形数据库的处理模块,该模块通过对比扫描部分所得到的数字灰阶图像和电路设计图形数据库中所提取该数字灰阶图像所在坐标尺寸的电路设计图形,划分缺陷信号点的落点位置;并在扫描过后将扫描得到的缺陷信号点按照落在曝光位置、非曝光位置以及曝光和非曝光交界位置分在三个不同的类别内,分别设置扫描阈值参数。本发明能够减少扫描中所得到的前站缺陷的信号数量,从而降低缺陷扫描的非真实缺陷率。
技术领域
本发明涉及集成电路制造工艺研发过程中对完整的晶圆进行缺陷的检查和分析领域,特别是涉及一种根据电路设计图形设置扫描阈值的方法。
背景技术
在半导体生产制造过程中的各个站点都需要通过光学检测机台对晶圆表面缺陷进行扫描检测。
在缺陷检测过程中,工程师通常只关心当站晶圆表面。然而,由于光学检测机台采用紫外波段光束对晶圆表面进行检测,同时,基于硅为半导体的晶圆中存在多种膜层对紫外波段光束有较大的透光率,如二氧化硅等,使得采用光学检测机台对各站点上的晶圆进行检测时,都普遍存在扫描结果中包含前站缺陷的情况。在前站没有数据的情况下,会造成当站缺陷占此次扫描得到总缺陷中的比率过低的问题,进而影响缺陷的复检效率。
在光学检测程式的建立过程中,工程师通常会人为对缺陷的出现站点作判断,并通过机台中得到的信号参数和信号强度对缺陷作分类,并通过设置阈值参数来过滤前站缺陷造成的缺陷信号,同时保留当站的关键缺陷。然而,当前站信号很大,且与当站缺陷信号相似度很高的情况下,现有的一些缺陷程式建立方法很难做到在保留当站缺陷的同时,过滤前站缺陷造成的缺陷信号。这就使得扫描结果中工程师所不关心的前站缺陷信号过多,影响到对当站缺陷结果的判断。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种根据电路设计图形设置扫描阈值的方法,能够减少扫描中所得到的前站缺陷的信号数量,从而降低缺陷扫描的非真实缺陷率。
为解决上述技术问题,本发明的根据电路设计图形设置扫描阈值的方法是采用如下技术方案实现的:在光学检测机台内设置一包含有电路设计图形数据库的处理模块,所述处理模块通过对比扫描部分所得到的数字灰阶图像和电路设计图形数据库中所提取该数字灰阶图像所在坐标等尺寸的电路设计图形,划分缺陷信号点的落点位置;根据数字灰阶图像中缺陷信号差异点的所在的像素位置,与相应的电路设计图形进行比对,从而判断和区分该差异点信号处在当层设计图形中的曝光位置或非曝光位置;之后,将扫描得到的缺陷信号点按照落在曝光位置、非曝光位置以及曝光和非曝光交界位置分在三个不同的类别内;最后,在扫描程式建立时的阈值参数设定步骤中,在同一扫描区域中,将分落在三个类别内的缺陷信号分别设置扫描阈值参数,即按照缺陷信号点在当层图形中落点位置设置扫描阈值。
采用本发明的方法,可以更有效地区分和过滤由前层缺陷引起的非真实缺陷信号,降低检测程式的非真实缺陷率,从而保证检测程式可以更加灵敏,提高当层微小的关键缺陷被发现和被复检的几率,从而在研发早期排除尽可能多的系统缺陷。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
图1是所述根据电路设计图形设置扫描阈值的方法的流程图;
图2是缺陷分类和阈值设置示意图。
具体实施方式
结合图2所示,现有的设置扫描阈值的方法是:第一步先按照扫描区域划分缺陷,第二步设置扫描阈值参数。而本发明采用的方法在第一步先按照扫描区域划分缺陷后增加一步缺陷分类,第二步按照缺陷在电路设计图形中的落点位置划分缺陷,第三步再设置扫描阈值参数。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造