[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括:

在一半导体鳍上形成一栅极堆叠，该栅极堆叠具有多个栅极间隙壁沿该栅极堆叠的相对侧延伸；

形成与该栅极堆叠相邻的一源极/漏极区；

将该栅极堆叠凹陷以在所述多个栅极间隙壁之间形成一第一凹口；

在该第一凹口中的该栅极堆叠上方沉积一介电层；

在该第一凹口中的该介电层和该栅极堆叠上方形成一第一金属掩模；

回蚀刻该介电层和所述多个栅极间隙壁以在该第一金属掩模下方形成一介电掩模；

在该第一金属掩模上方和相邻该栅极堆叠的该源极/漏极区上方沉积一导电材料；以及

平坦化该导电材料以形成一接点电性连接至该源极/漏极区，该接点的顶表面与该介电掩模的顶表面齐平。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中形成该第一金属掩模的步骤包括:

在该第一凹口中的该介电层上方形成一第一金属层；以及

平坦化该第一金属层直到该第一金属掩模余留在该第一凹口中，该第一金属掩模的顶表面与该介电层的顶表面齐平。

3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中该介电层和该第一金属层对于一相同的平坦化工艺具有大于100的平坦化选择性；以及该介电层和该第一金属层对于一相同的蚀刻工艺具有大于100的蚀刻选择性。

4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括沉积一层间介电质，该层间介电质沿所述多个栅极间隙壁的侧边延伸。

5.如权利要求4所述的半导体装置的形成方法，其中在回蚀刻该介电层之后，该层间介电质的顶表面设置于该介电掩模的顶表面上方。

6.如权利要求4所述的半导体装置的形成方法，其中在形成该第一金属掩模之后，该层间介电质的顶表面设置于该第一金属掩模的顶表面下方。

7.如权利要求4所述的半导体装置的形成方法，其中回蚀刻该介电层和所述多个栅极间隙壁的步骤形成一第二凹口沿该第一金属掩模延伸。

8.如权利要求7所述的半导体装置的形成方法，还包括：

在该第二凹口中的该介电层上方以及该第一金属掩模上方形成一第二金属层；以及

平坦化该第二金属层直到该第二金属层的顶表面和该层间介电质的顶表面齐平，其中余留在该第二凹口中的该第一金属掩模和该第二金属层形成一第二金属掩模。

9.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中平坦化该导电材料的步骤包括平坦化该导电材料直到移除该第二金属掩模。

10.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中该层间介电质和该第二金属层对于一相同的平坦化工艺具有大于100的平坦化选择性。

11.一种半导体装置的形成方法，包括:

在一半导体鳍上形成一栅极堆叠，该栅极堆叠具有多个栅极间隙壁沿该栅极堆叠的相对侧延伸；

沿所述多个栅极间隙壁的侧边沉积一层间介电质；

将该栅极堆叠凹陷以在所述多个栅极间隙壁之间形成一第一凹口；

在该第一凹口的一第一部分中的该栅极堆叠上方沉积一介电层；

在该第一凹口的一第二部分中的该介电层上方沉积一第一金属层；

平坦化该第一金属层直到一第一金属掩模余留在该第一凹口中，该第一金属掩模的顶表面与该介电层的顶表面齐平；

回蚀刻该介电层直到一介电掩模余留在该栅极堆叠上方和该第一金属掩模下方；

蚀刻出一第一开口通过该层间介电质；

以一导电材料填充该第一开口；以及

平坦化该导电材料直到该介电掩模的顶表面与该导电材料的顶表面齐平。

12.如权利要求11所述的半导体装置的形成方法，其中回蚀刻该介电层的步骤将所述多个栅极间隙壁和该介电层凹陷以形成一第二凹口围绕该第一金属掩模。