[发明专利]晶圆承载盘维修方法

权利要求书

1.一种晶圆承载盘维修方法，应用于晶圆承载盘(100)的修补，所述晶圆承载盘(100)包含有一顶面凹设有至少一口袋(110)的石墨底材(10)、及一包覆在所述石墨底材(10)表面外的碳化硅镀层(20)，其特征在于：包括下列步骤：

检测步骤(Ⅰ)：在每次MOCVD磊晶制程后，对晶圆承载盘(100)进行检测作业，检查所述晶圆承载盘(100)是否存在损伤(1)，存在前述损伤(1)时，进行下一步骤，不存在前述损伤(1)时，则留下等待进行下一次的MOCVD磊晶制程；

判断步骤(Ⅱ)：上述损伤(1)存在时，需取出所述晶圆承载盘(100)，以对所述损伤(1)进行判断，是否有发生所述石墨底材(10)裸露的状况；以及

修补步骤(Ⅲ)：针对上述判断结果，在所述损伤(1)处，设置相应的修补对象(2)，所述修补对象(2)具有纯硅(21)，紧接着再将所述晶圆承载盘(100)置入真空高温炉，加热至硅熔点以上的温度，保持一段时间，让所述纯硅(21)转为液相硅(211)，以渗透入所述损伤(1)处，最终在所述损伤(1)处，反应生长出碳化硅(3)，与原有的所述碳化硅镀层(20)合为一体，修补完成便能将所述晶圆承载盘(100)投入MOCVD磊晶制程，以继续正常使用。

2.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述纯硅(21)为纯硅颗粒或纯硅粉末；

所述纯硅(21)的纯度至少为98％。

3.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述修补对象(2)还包括碳膏(22)、胶黏剂(23)和胶结剂(24)中的一种或几种组合；

所述碳膏(22)，其能在判断所述石墨底材(10)未发生裸露状况时，配合所述纯硅(21)应用在修补上；

所述胶黏剂(23)，其能在判断所述石墨底材(10)发生裸露状况时，配合所述纯硅(21)应用在修补上；

所述胶结剂(24)，其能在判断所述石墨底材(10)未发生裸露状况时，配合所述纯硅(21)及所述碳膏(22)，应用在修补上，而当判断所述石墨底材(10)发生裸露状况时，则还能配合所述纯硅(21)，应用在修补上。

4.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述修补步骤(Ⅲ)中，其真空高温炉的真空压力范围为0.001至0.5torr。

5.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述修补步骤(Ⅲ)中，其真空高温炉的加热温度范围，为1450℃至1650℃。

6.如权利要求1所述的晶圆承载盘维修方法，其特征在于：所述检测步骤(Ⅰ)中，所述检测作业为下列方式之一或下列方式的混合：人工检测和计算机检测。