[发明专利]阵列基板和包括该阵列基板的液晶显示装置

说明书

根据本公开内容，披露了一种阵列基板以及包括该阵列基板的液晶显示装置。第一电极与第二电极之间的保护层形成为双层，该双层包括作为高电阻率层的第一层和作为低电阻率层的第二层。因此，DC释放时间减少，从而在维持取向膜的高取向力的同时有效减少了残像。另外，第一电极与第二电极之间的保护层形成有具有高电阻率的第一层、具有低电阻率的第二层和具有高电阻率的第三层。因此，在维持高取向力的同时抑制了第一取向膜的界面的极化现象，从而有效减少了由于R‑DC而导致的残像。另外，防止了由于低电阻率层的形成而导致的灰度偏移的增加以及由于界面的变形而导致的接触孔的断开。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年11月30日提交的韩国专利申请第10-2016-0162196号的权益，通过引用将该专利申请的全部内容并入于此。

技术领域

本公开内容涉及一种用于液晶显示装置的阵列基板以及包括该阵列基板的液晶显示装置，更具体地，涉及一种能够有效减少残像的阵列基板和包括该阵列基板的液晶显示装置。

背景技术

通常，通过利用液晶的光学各向异性和偏振特性来驱动液晶显示装置。由于液晶具有细长的结构，所以分子阵列具有取向，并且通过向液晶人为施加电场可控制分子排列的取向。

因此，当人为调整液晶的分子排列的取向时，改变了液晶的分子排列，由于光学各向异性而导致光在液晶的分子排列的取向上折射，从而显示图像信息。

当今，由于具有优异的分辨率和视频显示能力，其中薄膜晶体管和连接到薄膜晶体管的像素电极以矩阵图案进行排列的有源矩阵液晶显示装置(AM-LCD，以下简称为液晶显示装置)已经受到了最多的关注。

液晶显示装置包括：滤色器基板，公共电极形成在滤色器基板上；阵列基板，像素电极形成在阵列基板上；以及液晶，液晶插入在这两个基板之间，由于公共电极和像素电极使用垂直地施加到液晶的电场来驱动液晶，所以液晶显示装置在诸如透射率和开口率之类的特性上表现优异。

另外，最近已经提出横向电场型液晶显示装置和视角特性优于横向电场型液晶显示装置的视角特性的边缘场开关(FFS)模式液晶显示装置，在横向电场型液晶显示装置中，电极交替设置在上基板和下基板中的一个基板上，液晶设置在这两个基板之间并且显示图像。

图1是图解传统FFS模式液晶显示装置的示意图。

如图中所示，FFS模式液晶显示装置100包括栅极线43和与栅极线43交叉的数据线51，栅极线43和数据线51限定像素区域P。

另外，薄膜晶体管Tr形成在像素区域P中，薄膜晶体管Tr是连接到数据线51和栅极线43的开关元件，薄膜晶体管Tr包括栅电极(未示出)、栅绝缘膜(未示出)、半导体层(未示出)、源电极55和漏电极58。

另外，具有板形的像素电极60形成在像素区域P中。

另外，公共电极70形成在包括像素区域P的显示区域的整个表面上，公共电极70对应于像素区域P，与具有板形的像素电极60重叠，并且公共电极70具有形成在像素区域P中的每个都具有条形的多个开口op。在此，公共电极70形成在显示区域的整个表面上，使用一条长短交替的虚线示出了对应于一个像素区域P的部分。

具有以上构造的FFS模式液晶显示装置100通过在包括具有条形的多个开口op的公共电极70与形成在每个像素区域P中的像素电极60之间施加电压而产生边缘场。

也就是说，当在公共电极70与像素电极60之间产生电场时，电场产生为包括其垂直分量的边缘场，从而驱动液晶分子(未示出)。

图2是图解沿图1的II-II线截取的部分的剖面图。

如图中所示，像素电极60设置在第一基板11上，保护层80设置在像素电极60上，公共电极70设置在保护层80上。