[发明专利]阵列基板和包括该阵列基板的液晶显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板，包括：

第一基板；

位于所述第一基板上的薄膜晶体管；

位于所述第一基板上的第一电极；

位于所述第一电极上的保护层；以及

位于所述保护层上的第二电极，

其中所述保护层包括第一层和第二层，所述第一层具有第一电阻率值，所述第二层具有第二电阻率值，所述第一层位于所述第一电极与所述第二层之间，并且所述第二电阻率值小于所述第一电阻率值，

其中所述保护层进一步包括配置成暴露公共线的接触孔。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第二层的厚度小于或者等于所述第一层的厚度。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其中所述第二层的厚度是或者更小。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，进一步包括取向膜，所述取向膜配置成覆盖所述第二电极，其中所述取向膜与所述第二电极和所述第二层接触，并且所述取向膜具有大于或者等于所述第二电阻率值的电阻率值。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述第二电阻率值在所述第一电阻率值的1/1000到1/10的范围内。

6.根据权利要求5所述的阵列基板，其中所述第一电阻率值是10¹³Ωcm或者更大。

7.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述接触孔配置成将所述第二电极连接到所述公共线，并且所述第二层通过所述接触孔与所述第二电极接触。

8.根据权利要求7所述的阵列基板，其中栅绝缘膜设置在所述第一电极上。

9.根据权利要求7所述的阵列基板，其中所述薄膜晶体管包括：

位于所述第一基板上的栅电极；

位于所述栅电极上的栅绝缘膜；

位于所述栅绝缘膜上的半导体层；和

源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于半导体层上并且所述源电极和所述漏电极彼此间隔开，以及

其中所述第一电极设置在所述栅绝缘膜下方。

10.根据权利要求9所述的阵列基板，其中所述第一电极和所述公共线设置在与所述栅电极相同的层中并且由与所述栅电极相同的材料形成。

11.根据权利要求9所述的阵列基板，其中所述接触孔穿过所述保护层和所述栅绝缘膜。

12.根据权利要求1所述的阵列基板，其中所述保护层进一步包括跳接孔，所述跳接孔配置成将所述第一电极连接到所述薄膜晶体管，并且所述第二层通过设置在所述跳接孔上的连接图案与所述第一电极接触。

13.根据权利要求1所述的阵列基板，其中栅绝缘膜设置在所述第一电极下方，并且所述第一电极直接连接到所述薄膜晶体管。

14.根据权利要求12所述的阵列基板，其中所述薄膜晶体管包括：

位于所述第一基板上的栅电极；

位于所述栅电极上的栅绝缘膜；

位于所述栅绝缘膜上的半导体层；和

源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极位于所述半导体层上并且所述源电极和所述漏电极彼此间隔开，

其中所述第一电极设置在所述栅绝缘膜下方，所述连接图案与所述第二电极形成在同一层中并且所述连接图案由与所述第二电极相同的材料形成，并且所述第一电极通过所述连接图案连接到所述漏电极。

15.根据权利要求14所述的阵列基板，其中所述跳接孔穿过所述保护层和所述栅绝缘膜。