[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置

说明书

本技术提供半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置。一种半导体装置，其具备：基板；第一晶体管，在基板上依次具有包括多晶硅的第一半导体层和与第一半导体层对向的第一栅电极；以及第二晶体管，在基板上依次具有包括氧化物半导体的第二半导体层和与第二半导体层对向的第二栅电极。

技术领域

本技术涉及一种具有薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)的半导体装置及其制造方法，和使用该半导体装置的显示装置。

背景技术

具有TFT的半导体装置，例如作为显示装置等的驱动电路使用(例如，专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-161382号公报

发明内容

在这样的半导体装置中，期望抑制多个TFT之间的特性变化而使特性均一化，并且提高可靠性。

期望提供一种可以使特性均一化，并且提高可靠性的半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置。

本技术的一种实施方式的半导体装置具备：基板；第一晶体管，在基板上依次具有包括多晶硅的第一半导体层和与第一半导体层对向的第一栅电极；以及第二晶体管，在基板上依次具有包括氧化物半导体的第二半导体层和与第二半导体层对向的第二栅电极。

本技术的一种实施方式的显示装置具备：半导体装置；以及显示元件层，设置在半导体装置上，并且包括多个像素。半导体装置包括：基板，第一晶体管，在基板上依次具有包括多晶硅的第一半导体层和与第一半导体层对向的第一栅电极；以及第二晶体管，在基板上依次具有包括氧化物半导体的第二半导体层和与第二半导体层对向的第二栅电极。

在本技术的一种实施方式的半导体装置和显示装置中，第一晶体管的第一半导体层包括多晶硅，第二晶体管的第二半导体层包括氧化物半导体。因此，与由多晶硅构成所有的晶体管的半导体层的情况相比，可以抑制特性的变化。另外，与由氧化物半导体构成所有的晶体管的半导体层的情况相比，可以抑制特性的劣化。

本技术的一种实施方式的半导体装置的制造方法包括：在基板上，依次设置包括多晶硅的第一半导体层和与第一半导体层对向的第一栅电极，从而形成第一晶体管；以及在基板上，依次设置包括氧化物半导体的第二半导体层和与第二半导体层对向的第二栅电极，从而形成第二晶体管。

在本技术的一种实施方式的半导体装置的制造方法中，第一晶体管的第一半导体层以包括多晶硅的方式形成，第二晶体管的第二半导体层以包括氧化物半导体的方式形成。因此，与由多晶硅构成所有的晶体管的半导体层的情况相比，可以抑制特性的变化。另外，与由氧化物半导体构成所有的晶体管的半导体层的情况相比，可以抑制特性的劣化。

根据本技术的一种实施方式的半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置，第一晶体管的第一半导体层包括多晶硅，第二晶体管的第二半导体层包括氧化物半导体。因此，可以使特性均一化，并且提高可靠性。再有，不一定限定于这里所记载的效果，也可以是本公开中记载的任何一个效果。

附图说明

图1是表示本技术的一种实施方式的显示装置的概略结构的截面模式图。

图2是表示图1所示的半导体装置的结构的截面图。

图3是表示图1所示的显示装置的像素电路的结构的图。

图4A是表示图2所示的第一晶体管和第二晶体管的制造方法的一个工序的截面模式图。

图4B是表示图2所示的储存电容器的制造方法的一个工序的截面模式图。

图5A是表示继图4A之后的一个工序的截面模式图。