[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法和显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

基板；

第一晶体管，在所述基板上依次具有包括多晶硅的第一半导体层和与所述第一半导体层对向的第一栅电极；以及

第二晶体管，在所述基板上依次具有包括氧化物半导体的第二半导体层和与所述第二半导体层对向的第二栅电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，具有多个所述第一晶体管和多个所述第二晶体管。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，在所述第二半导体层，设置有俯视时重叠于所述第二栅电极的沟道区域，以及邻接于所述沟道区域的低电阻区域。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述第一晶体管具有电连接于所述第一半导体层的一对第一源·漏电极，

所述一对第一源·漏电极与所述第二栅电极由同一的材料构成，并且具有同一的厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，进一步具有：

第一绝缘膜，在所述第一半导体层与所述第一栅电极之间；以及

第二绝缘膜，覆盖所述第一栅电极，

在所述基板与所述第二半导体层之间，设置有所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，进一步具有：所述第二半导体层与所述第二栅电极之间的第三绝缘膜。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述第三绝缘膜的平面形状与所述第二栅电极的平面形状相同。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，所述第二绝缘膜由层叠膜构成，所述层叠膜从接近所述第一绝缘膜的位置依次包括氮化硅膜和氧化硅膜。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，进一步包括储存电容器，所述储存电容器从接近所述基板的位置，依次具有第一电极、第二电极和电连接于所述第一电极的第三电极，

所述第一电极、所述第二电极和所述第三电极具有俯视时互相重叠的部分。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

所述第一电极包括多晶硅，并且具有与所述第一半导体层同一的厚度，

所述第二电极由与所述第一栅电极同一的构成材料构成，并且具有与所述第一栅电极同一的厚度，

所述第三电极由与所述第二栅电极同一的构成材料构成，并且具有与所述第二栅电极同一的厚度。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其中，

在所述第一电极与所述第二电极之间设置有所述第一绝缘膜，

在所述第二电极与所述第三电极之间设置有所述第二绝缘膜和所述第三绝缘膜。

12.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一晶体管和所述第二晶体管构成逆变器。

13.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一半导体层由低温多晶硅构成。

14.一种显示装置，具备：

半导体装置；以及

显示元件层，设置在所述半导体装置上，并且包括多个像素，

所述半导体装置包括：

基板，

第一晶体管，在所述基板上依次具有包括多晶硅的第一半导体层和与所述第一半导体层对向的第一栅电极；以及

第二晶体管，在所述基板上依次具有包括氧化物半导体的第二半导体层和与所述第二半导体层对向的第二栅电极。

15.根据权利要求14所述的显示装置，其中，

在所述半导体装置中，设置有所述多个像素的像素电路，

在所述像素电路中，所述第一晶体管发挥作为写入晶体管的功能，并且所述第二晶体管发挥作为驱动晶体管的功能。