[发明专利]储存装置及其操作方法

说明书

储存装置及其操作方法。这里可以提供具有干扰特性的储存装置和操作该储存装置的方法。储存装置可以包括：一个或更多个半导体存储器件，各个半导体存储器件包括多个存储单元；和存储控制器，该存储控制器被配置为根据所述多个存储单元的编程速度来设置所述一个或更多个半导体存储器件的通过电压的电平。

技术领域

本公开的各种实施方式总体涉及电子装置，更具体地，涉及储存装置和操作储存装置的方法。

背景技术

储存装置是用于在主机装置(诸如，例如计算机、智能电话或智能平板)的控制下存储数据的装置。储存装置的示例包括用于将数据存储在磁盘中的装置(如在硬盘驱动器(HDD)的情况下)和用于将数据存储在半导体存储器(特别是在非易失性存储器)中的装置(如在固态硬盘(SSD)或存储卡的情况下)。

非易失性存储器是即使在断电时也保持存储在其中的数据的存储装置。非易失性存储装置的代表示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦可编程ROM(EEPROM)、闪存、相变随机存取存储器(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。闪存被分类成NOR型存储器和NAND型存储器。

发明内容

本公开的各种实施方式致力于具有改进的干扰特性的储存装置和操作该储存装置的方法。

本公开的实施方式提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个存储块；外围电路，该外围电路被配置为对所述存储单元阵列执行操作；以及控制逻辑，该控制逻辑被配置为在执行所述操作时基于在所述多个存储块中的内容可寻址存储(CAM)块中存储的设置信息控制所述外围电路。所述设置信息包括向在所述存储单元阵列中包括的多个存储单元施加的通过电压的电平，并且所述通过电压的电平根据所述多个存储单元的编程速度来确定。

本公开的实施方式提供了一种储存装置。该储存装置包括：一个或更多个半导体存储器件，各个半导体存储器件包括多个存储单元；和存储控制器，该存储控制器被配置为根据所述多个存储单元的编程速度来设置所述一个或更多个半导体存储器件的通过电压的电平。

本公开的实施方式提供了一种操作储存装置的方法。该储存装置包括半导体存储器件和配置为控制所述半导体存储器件的存储控制器，所述半导体存储器件具有多个存储单元。所述方法包括以下步骤：测量所述多个存储单元中的一部分或所有所述多个存储单元的编程速度；以及根据所测量的编程速度设置所述半导体存储器件的通过电压的电平。

附图说明

图1是例示了根据本公开的实施方式的半导体存储器件的框图。

图2是例示了图1所示的存储单元阵列的图。

图3是例示了图2所示的存储块的电路图。

图4是例示了图2所示的存储块的电路图。

图5是说明在半导体存储器件的编程操作期间向字线和位线施加的电压的波形图。

图6是说明根据半导体存储器件的通过电压的大小的干扰现象的曲线图。

图7是说明根据本公开的实施方式的根据半导体存储器件的编程速度选择编程电压和通过电压的大小的方法的表。

图8是例示了根据本公开的实施方式的储存装置的框图。

图9是根据本公开的实施方式的储存装置的操作的流程图。

图10是根据本公开的实施方式的储存装置的操作的流程图。

图11是说明根据本公开的实施方式的确定半导体存储器件的通过电压的方法的表。

图12是例示了图8所示的储存装置的框图。