[发明专利]储存装置及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，该半导体存储器件包括：

存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个存储块；

外围电路，该外围电路被配置为对所述存储单元阵列执行操作；以及

控制逻辑，该控制逻辑被配置为在执行所述操作的同时基于在所述多个存储块当中的内容可寻址存储CAM块中存储的设置信息来控制所述外围电路，

其中，所述设置信息包括向在所述存储单元阵列中包括的多个存储单元施加的通过电压的电平，

其中，所述通过电压的电平根据所述多个存储单元的编程速度来确定，并且

其中，所述通过电压根据所述多个存储单元的编程速度的平均值来确定。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述通过电压包括在对所述多个存储单元执行的编程操作或读取操作期间向未被选择的存储单元施加的编程通过电压或读取通过电压。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述通过电压随着所述多个存储单元的所述编程速度更高而具有更高的电平。

4.一种储存装置，该储存装置包括：

一个或更多个半导体存储器件，各个半导体存储器件包括多个存储单元；以及

存储控制器，该存储控制器被配置为根据所述一个或更多个半导体存储器件中的每一个的所述多个存储单元的编程速度的平均值来设置所述一个或更多个半导体存储器件中的每一个的通过电压的电平。

5.根据权利要求4所述的储存装置，其中，所述存储控制器包括：

电压设置单元，该电压设置单元被配置为测量所述一个或更多个半导体存储器件的所述编程速度，根据所测量的编程速度的平均值中的每一个来设置所述通过电压，并且向所述半导体存储器件中的每一个提供所述通过电压。

6.根据权利要求5所述的储存装置，其中，所述存储控制器被配置为发送用于所述多个存储单元中的一部分或所有所述多个存储单元的编程命令，并且发送用于获取所述编程命令的执行结果的读取命令。

7.根据权利要求6所述的储存装置，其中，所述存储控制器被配置为响应于所述读取命令而根据由所述一个或更多个半导体存储器件中的每一个提供的读取数据对关断单元的数量进行计数。

8.根据权利要求7所述的储存装置，其中，所述电压设置单元被配置为将所述关断单元的数量与一个或更多个基准值进行比较，并且确定所述一个或更多个半导体存储器件中的每一个的所述通过电压。

9.根据权利要求4所述的储存装置，其中，所述存储控制器被配置为使用参数设置命令或特征设置命令向所述一个或更多个半导体存储器件中的每一个提供所述通过电压。

10.根据权利要求9所述的储存装置，其中，所述一个或更多个半导体存储器件中的每一个包括：

存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个存储块；

外围电路，该外围电路被配置为对所述存储单元阵列执行操作；以及

电压控制单元，该电压控制单元被配置为存储在所述多个存储块当中的内容可寻址存储CAM块中存储的设置信息。

11.根据权利要求10所述的储存装置，其中，所述一个或更多个半导体存储器件中的每一个还包括：

控制逻辑，该控制逻辑被配置为在执行所述操作的同时基于在所述电压控制单元中存储的所述设置信息来控制所述外围电路。

12.根据权利要求11所述的储存装置，其中，所述控制逻辑被配置为响应于从所述存储控制器提供的所述参数设置命令或所述特征设置命令来改变或更新在所述电压控制单元中存储的所述设置信息。

13.根据权利要求4所述的储存装置，其中，所述通过电压随着所述多个存储单元的编程速度更高而具有更高的电平。