[发明专利]一种白光LED封装方法

权利要求书

1.一种白光LED封装方法，其特征在于，包括：

选取基板和LED灯芯；

利用回流焊焊接工艺将所述LED灯芯焊接在所述基板上；

在所述LED灯芯上生长下层硅胶；

在所述下层硅胶上生长半球形硅胶球；

在所述半球形硅胶球上生长上层硅胶以完成所述LED的封装；

所述半球形硅胶球和所述上层硅胶包含有黄色荧光粉；其中，

所述下层硅胶的折射率小于所述上层硅胶的折射率，所述半球形硅胶的折射率大于所述下层硅胶的折射率，小于所述上层硅胶的折射率；

所述下层硅胶为耐高温硅胶层；

所述半球形硅胶成半球状形成平凸镜，所述平凸镜的焦距为1/(n2-n1)r，其中，n2是所述半球形硅胶球的折射率，n1是所述下层硅胶的折射率，r是所述上层硅胶的半径；

所述上层硅胶的厚度大于r+1/(n2-n1)r。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选取基板，包括：

选取厚度为0.5～10mm、材质为铜的板材；

在所述板材中制作沿宽度方向且平行所述板材平面的多个圆形通孔形成所述基板。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述板材中制作沿宽度方向且平行所述板材平面的多个圆形通孔，包括：

在所述板材中直接铸造或者在所述板材上直接钻孔制作沿宽度方向且平行所述板材平面的多个圆形通孔；

制作的所述圆形通孔的直径为0.2～0.4mm，所述圆形通孔的间距为0.5～10mm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，选取LED灯芯，包括：

选取GaN基蓝光芯片作为所述LED灯芯；其中，所述GaN基蓝光芯片包括依次设置在衬底材料的GaN缓冲层、N型GaN层、P型GaN量子阱宽带隙材料、InGaN层、P型GaN量子阱宽带隙材料、AlGaN阻挡层材料以及P型GaN层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用回流焊焊接工艺将所述LED灯芯焊接在所述基板上，包括：

将焊料印刷到所述LED灯芯上；

将印刷有焊料的所述LED灯芯进行固晶检验；

利用回流焊焊接工艺将印刷有焊料的所述LED灯芯焊接到所述基板上。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述LED灯芯上生长下层硅胶，包括：

利用涂覆工艺在所述LED灯芯上涂覆第一硅胶层，其中，所述第一硅胶层为不含荧光粉的耐高温硅胶层；

在90℃～125℃温度下，将所述第一硅胶层烘烤15～60min，固化形成所述下层硅胶。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述下层硅胶上生长半球形硅胶球，包括：

利用涂覆工艺在所述下层硅胶上涂覆硅胶球材料，其中，所述硅胶球材料含有黄色荧光粉；

利用第一半球形模具在所述硅胶球材料上形成多个硅胶球；

在90℃～125℃温度下，将设置有所述第一半球形模具的所述硅胶球材料烘烤15～60min；

去除所述第一半球形模具，形成所述半球形硅胶球。

8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在所述半球形硅胶球上生长上层硅胶，包括：

利用涂覆工艺在所述半球形硅胶球及下层硅胶上涂覆第二硅胶层，其中，所述第二硅胶层含有黄色荧光粉；

利用第二半球形模具在所述第二硅胶层内形成第二半球形硅胶；

在90℃～125℃温度下，将设置有第二半球形模具的所述第二硅胶层烘烤15～60min；

去除所述第二半球形模具，形成所述上层硅胶。

9.根据权利要求7或8所述的方法，其特征在于，所述黄色荧光粉通过(Y,Gd)₃(Al,Ga)₅O₁₂:Ce、(Ca,Sr,Ba)₂SiO₄:Eu、AESi₂O₂N₂:Eu、M-α-SiAlON:Eu材料配置，所述黄色荧光粉的荧光波长为570nm～620nm。