[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上具有介质层；

第一开口，所述第一开口位于部分厚度的所述介质层内；

第二开口，所述第二开口位于所述第一开口底部部分厚度的介质层内，且，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度，所述第一开口深度占所述第一开口和所述第二开口深度总和的1/3以上；

接触孔，所述接触孔位于所述第二开口底部剩余厚度的介质层内。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一开口的深度大于或等于1μm。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二开口宽度与所述第一开口宽度的比值在7:10到8:10范围内。

4.如权利要求1或3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一开口的宽度在50μm到70μm范围内。

5.如权利要求1或3所述的半导体结构，其特征在于，所述第二开口的宽度在40μm到50μm范围内。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，平行所述基底表面的平面内，所述第一开口的投影和所述第二开口的投影为方形。

7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，平行所述基底表面的平面内，所述第一开口投影和所述第二开口投影相对边之间的间隔相等。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：

插塞，所述插塞位于所述接触孔内；

中间连接层，所述中间连接层位于所述第二开口内；

顶部连接层，所述顶部连接层位于所述第一开口内。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述插塞、所述中间连接层和所述顶部连接层的材料为铜。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有介质层；

在部分厚度的所述介质层内形成第一开口和位于所述第一开口底部的第二开口，所述第二开口的宽度小于所述第一开口的宽度，所述第一开口深度占所述第一开口和所述第二开口深度总和的1/3以上；

在所述第二开口底部剩余厚度的介质层内形成接触孔。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述第一开口的深度大于或等于1μm。

12.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，所述第二开口宽度与所述第一开口宽度的比值在7:10到8:10范围内。

13.如权利要求10或12所述的形成方法，其特征在于，所述第一开口的宽度在50μm到70μm范围内。

14.如权利要求10或12所述的形成方法，其特征在于，所述第二开口的宽度在40μm到50μm范围内。

15.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，形成所述接触孔之后，还包括：

形成位于所述接触孔内的插塞、位于所述第二开口的中间连接层和位于所述第一开口内的顶部连接层。

16.如权利要求15所述的形成方法，其特征在于，所述插塞、所述中间连接层和所述顶部连接层的材料为铜。