[发明专利]掩膜版及薄膜封装方法在审
申请号: | 201711208519.9 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN108004521A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 杜骁;陈永胜 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/04 | 分类号: | C23C16/04;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 薄膜 封装 方法 | ||
1.一种掩膜版,其特征在于,包括遮蔽区和开口区,所述遮蔽区围绕所述开口区设置,所述开口区的形状和位置对应亚像素的成膜区和部分绑定区,以使通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区,并露出FPC和测试接口。
2.如权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述遮蔽区包括外框和从所述外框底边中部向所述开口区内部突出的挡块,以使所述开口区在所述挡块两侧分别形成第一开口和第二开口,所述挡块用于遮挡亚像素上的FPC区域。
3.如权利要求2所述的掩膜版,其特征在于,所述挡块为矩形,所述遮蔽区内部左右两边、顶边和底边的所述挡块上沿的延伸共同围合形成所述开口区的矩形区域,所述第一开口和所述第二开口为矩形且宽度相同。
4.如权利要求3所述的掩膜版,其特征在于,所述遮蔽区内部左右两边和顶边对应所述亚像素的成膜区的对应位置向外偏移100~500μm,所述遮蔽区内部底边距离所述绑定区上沿100~500μm。
5.如权利要求3所述的掩膜版,其特征在于,所述挡块上沿距离所述绑定区下沿100~500μm。
6.如权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版的厚度为0.01~0.3mm。
7.如权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述开口区为两个以上,多个所述开口区间隔设置。
8.如权利要求7所述的掩膜版,其特征在于,所述开口区在所述掩膜版上阵列排列。
9.一种薄膜封装方法,其特征在于,所述方法包括如下步骤:
提供掩膜版,所述掩膜版包括遮蔽区和开口区,所述遮蔽区围绕所述开口区设置,所述开口区的形状和位置对应亚像素的成膜区和部分绑定区,以使通过所述开口区的薄膜封装材料覆盖所述亚像素的成膜区和部分绑定区,并露出FPC和测试接口,并进入下一制程站点;
将所述掩膜版与玻璃基板对位并紧贴;
薄膜封装,输入薄膜封装材料并通过所述掩膜版的开口区在所述玻璃基板上形成封装保护膜;
将所述掩膜版和所述玻璃基板分离,检查所述玻璃基板上形成的薄膜状况。
10.如权利要求9所述的薄膜封装方法,其特征在于,所述掩膜版先镀制耐腐蚀保护膜再进入下一制程站点。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的