[发明专利]半导体器件封装有效
申请号: | 201711204485.6 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN108110119B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 金恩珠;金佳衍;金乐勋;孙政焕;全永炫 | 申请(专利权)人: | 苏州立琻半导体有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/58;H01L33/60;H01L33/62 |
代理公司: | 苏州锦尚知识产权代理事务所(普通合伙) 32502 | 代理人: | 滕锦林 |
地址: | 215499 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 封装 | ||
1.一种半导体器件封装,包括:
衬底;
第一电极单元,设置在所述衬底上;
第二电极单元,与所述第一电极单元电断开并设置在所述衬底上;
发光器件,设置在所述第一电极单元上;
绝缘反射层,设置在所述第一电极单元和所述第二电极单元之间;以及
光学透镜,设置在所述绝缘反射层上,
其中,
所述绝缘反射层的上表面被设置成包括多个顶点的多边形形状,
所述绝缘反射层的顶点包括到衬底的中心的距离在第一范围内的至少一个第一点,
所述衬底的上表面与外切所述光学透镜的弯曲表面的接触线之间的角度为60度至90度,其中所述接触线与所述光学透镜相切于透镜部分的外部接触点并且经过所述衬底的边缘部分,
在沿垂直于所述衬底平面的方向上,所述至少一个第一点与将所述接触线和所述光学透镜之间的外部接触点连接至所述接触线接触所述衬底处的点的线重叠。
2.根据权利要求1所述的半导体器件封装,其中,
光学透镜包括透镜部分和弯曲部分,
所述透镜部分和所述弯曲部分的曲率方向不同。
3.根据权利要求2所述的半导体器件封装,其中,在沿垂直于所述衬底平面的方向上,所述第一点与所述弯曲部分重叠。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件封装,其中,所述绝缘反射层的顶点包括所述第一点和第二点,所述第二点到绝缘反射层的中心的距离小于第一范围。
5.根据权利要求4所述的半导体器件封装,其中,所述第二电极单元包括第一突出和第二突出,所述第一突出和第二突出沿着从所述第二电极单元的外表面到所述发光器件的方向突出。
6.根据权利要求5所述的半导体器件封装,其中,所述第一突出和所述第二突出中的每一个的垂直宽度是恒定的。
7.根据权利要求6所述的半导体器件封装,其中,第一距离在所述第一电极单元的设置有所述发光器件的第一区域的在第一轴线方向上的宽度的1/10至3/10的范围内,所述第一距离是所述第一区域与第二电极单元的第一突出或第二突出之间的垂直距离。
8.根据权利要求7所述的半导体器件封装,其中,所述第一电极单元包括:
第三区域,设置在所述第一电极单元的下角区域中;
第四区域,设置在所述第一电极单元的上角区域中;以及
第五区域,设置在所述第一区域与所述第三区域和所述第四区域中的每一个之间。
9.根据权利要求8所述的半导体器件封装,其中,
所述第一电极单元包括能够设置保护器件的第二区域以及设置在所述第二区域和所述上角区域中的第一连接部分,
所述第一连接部分的垂直宽度小于所述第二区域的垂直宽度。
10.根据权利要求9所述的半导体器件封装,其中:
所述第二电极单元包括第四突出和第五突出,所述第四突出设置在所述第二电极单元的下角区域中,所述第五突出设置在所述第二电极单元的上角区域中;
所述第四突出对应于所述第一电极单元的第三区域;
所述第五突出对应于所述第一电极单元的第四区域。
11.根据权利要求10所述的半导体器件封装,其中,所述绝缘反射层设置在所述第四突出和所述第三区域之间并将所述第二电极单元与所述第一电极单元电气断开。
12.根据权利要求11所述的半导体器件封装,其中,所述绝缘反射层设置在所述第五突出和所述第四区域之间并将所述第二电极单元与所述第一电极单元电气断开。
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