[发明专利]硅片清洗制绒装置有效
申请号: | 201711204186.2 | 申请日: | 2017-11-27 |
公开(公告)号: | CN107968062B | 公开(公告)日: | 2019-09-13 |
发明(设计)人: | 陈五奎;刘强;徐文州 | 申请(专利权)人: | 乐山新天源太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677;H01L31/0236;H01L31/18;C30B29/06;C30B33/10 |
代理公司: | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人: | 李玉兴 |
地址: | 614000 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 清洗 装置 | ||
本发明公开了一种能够保便于制绒温度控制,同时保证硅片在进行硅片清洗、制绒过程中硅片始终处于湿润状态的硅片清洗制绒装置。该硅片清洗制绒装置,包括硅片制绒槽、硅片转运装置以及硅片清洗装置;所述硅片转运装置设置在硅片制绒槽与硅片清洗装置之间;采用该硅片清洗制绒装置制绒温度控精度高,整个工艺槽内化学反应稳定,可控,能够实现有效控制溶液的反应速度和挥发量,便于工艺调整;同时硅片在转运过程中经过喷淋可以保证硅片在运转过程中始终保持湿润状态,从而有效避免出现“边缘花片”的情况,保证产品的质量。
技术领域
本发明涉及硅片的制绒,尤其是一种硅片清洗制绒装置。
背景技术
众所周知的:硅片在经过一系列的加工程序之后需要进行清洗,清洗的目的是要消除吸附在硅片表面的各类污染物,并制作能够减少表面太阳光反射的绒面结构,且清洗的洁净程度直接影响着电池片的成品率和可靠率。制绒是制造晶硅电池的第一道工艺,又称“表面织构化”。有效的绒面结构使得入射光在硅片表面多次反射和折射,增加了光的吸收,降低了反射率,有助于提高电池的性能。
考虑到制绒工艺段对整个生产线的重要作用,针对影响制绒反应的因素,对设备工艺段的设计进行更加精细的调整:
制绒作为化学反应,首先应考虑反应的条件,即化学液的温度及各组分的浓度等。现在的工业生产对制绒工艺温度控制提出了较高的要求,为了保证反应条件的一致性,温控精度要在±1℃内,整个工艺槽内化学反应才能更稳定和可控,实现有效控制溶液的反应速度和挥发量,便于工艺调整。现有的制绒槽对溶液温度的控制不够稳定,无法保证制绒对溶液温度的要求。
同时现有技术中,虽然有实现硅片清洗和制绒连续进行的装置,但是在硅片由清洗溶液转运到制绒槽的过程中,硅片由于暴露在空气中因此容易出现水纹印,从而使得硅片质量受到影响。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种能够保便于制绒温度控制,同时保证硅片在进行硅片清洗、制绒过程中硅片始终处于湿润状态的硅片清洗制绒装置。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:硅片清洗制绒装置,包括硅片制绒槽、硅片转运装置以及硅片清洗装置;所述硅片转运装置设置在硅片制绒槽与硅片清洗装置之间;
所述硅片制绒槽包括槽体、加热控制器;所述槽体的一端设置有入水槽,另一端设置有出水槽;
所述入水槽一端通过第一匀流板与槽体连通,另一端的上方设置有与入水槽连通的入水箱;所述入水箱具有入水口,所述入水槽内由入水槽的一端向另一端依次设置有横向加热电阻、竖向加热电阻以及搅拌装置;所述横向加热电阻位于入水箱的下方;且在竖直方向上均匀分布;所述竖向加热电阻沿水平方向上均匀分布;所述搅拌装置位于第一匀流板的一侧;
所述出水槽的一端通过第二匀流板与槽体连通,另一端设置有出水口;所述槽体的底部设置有保温加热电阻,所述槽体内设置有温度传感器,所述温度传感器、横向加热电阻、竖向加热电阻以及保温加热电阻均与加热控制器电连接;
所述硅片转运装置包括安装座,所述安装座上设置有转盘,所述转盘上安装有竖向滑柱,所述竖向滑柱上设置有滑台,所述滑台上设置有第一伸缩装置,所述第一伸缩装置一端与滑台固定连接,另一端设置有支撑臂,所述支撑臂一端与伸缩装置通过转动关节连接;所述支撑臂的另一端的下方设置有第二转盘,所述第二转盘上设置有第二伸缩装置,所述第二伸缩装置的下端设置有夹爪;
所述夹爪包括固定板、固定夹爪和动夹爪,所述固定夹爪固定安装在固定板上,所述动夹爪沿固定板的长度方向滑动安装在固定板上;所述固定板上设置有驱动动夹爪沿固定板的长度方向滑动的滑动驱动装置;所述固定夹爪和动夹爪之间形成抓夹区间,所述固定板下表面设置有喷头,所述支撑臂上设置有增压泵;所述喷头与增压泵连通,所述喷头位于抓夹区间内。
进一步的,所述槽体具有的开槽口的上端上设置有保温加热装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造