[发明专利]一种紫外LED器件测试装置及测试方法在审

专利信息
申请号: 201711201102.X 申请日: 2017-11-27
公开(公告)号: CN108107335A 公开(公告)日: 2018-06-01
发明(设计)人: 夏正浩;张康;罗明浩;王波;陈美琴;闵海;林威 申请(专利权)人: 中山市光圣半导体科技有限责任公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26;G01R31/01;G01M11/02
代理公司: 中山市科创专利代理有限公司 44211 代理人: 胡犇
地址: 528400 广东省中山市古镇*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 荧光罩 紫外LED器件 测试装置 射出光 波长 罩住 光功率 激发谱 响应度 测试 光参数测试仪 紧密连接 测试台 发射谱 光参数 激发 断电 伤害
【权利要求书】:

1.一种紫外LED器件测试装置,其特征在于:包括:

用于夹持安装紫外LED器件(10)的测试台(1);

能分别与测试台(1)紧密连接而罩住紫外LED器件(10)的第一荧光罩(2)和第二荧光罩(3),并且第一荧光罩(2)与第二荧光罩(3)的激发谱和发射谱均不相同;

能测出从第一荧光罩(2)和第二荧光罩(3)射出光的光参数的光参数测试仪(4);

与测试台(1)连接而能测出紫外LED器件(10)的电参数的电参数测试仪(5);

所述的紫外LED器件(10)包括紫外LED外延片或紫外LED芯片或紫外LED封装芯片或紫外LED灯,所述的紫外LED器件(10)的波长为200nm至400nm,所述的第一荧光罩(2)和第二荧光罩(3)的发射主波长范围分别为400nm至780nm,所述的第一荧光罩(2)和第二荧光罩(3)采用的荧光粉包括硅酸盐、铝酸盐、氮化物或氧化物。

2.根据权利要求1所述的紫外LED器件测试装置,其特征在于:所述的测试台(1)上设有用于夹持紫外LED器件(10)并能根据紫外LED器件(10)的尺寸规格进行更换的夹具(6)。

3.根据权利要求1或2所述的紫外LED器件测试装置,其特征在于:所述的光参数测试仪(4)包括用于收集从第一荧光罩(2) 和第二荧光罩(3)射出光的光收集装置(41)及与光收集装置(41)连接的光谱仪(42),所述光收集装置(41)包括积分球、光纤或光探测器。

4.根据权利要求2所述的紫外LED器件测试装置,其特征在于:还包括能根据测得的光电参数而将紫外LED器件(10)进行分类的分选部件(7)。

5.一种紫外LED器件的测试方法,其特征在于:包括如下步骤:

A:将待测的紫外LED器件(10)固定到测试台(1)上;

B:将第一荧光罩(2)紧密罩住紫外LED器件(10);

C:给紫外LED器件(10)提供电流而驱动其发光;

D:通过光参数测试仪(4)测得第一荧光罩(2)射出的光的光功率P1;

E:对紫外LED器件(10)断电,移除第一荧光罩(2),将第二荧光罩(3)紧密罩住紫外LED器件(10),所述的第一荧光罩(2)与第二荧光罩(3)的激发谱和发射谱均不相同;

F:给紫外LED器件(10)提供与步骤C中相同的电流而驱动其再次发光;

G:通过光参数测试仪(4)测得第二荧光罩(3)射出的光的光功率P2;

H:根据第一荧光罩(2)和第二荧光罩(3)的激发谱及需要满足的条件公式P1/R1=P2/R2、W2=W3来确定紫外LED器件(10)的波长W1值,得出紫外LED器件(10)的波长W1=W2=W3,并计算出紫外LED器件(10)的光功率P0=P1/R1,其中,R1为第一荧光罩(2)在紫外LED器件(10)的波长值为W2时的激发响应度,R2为第二荧光罩(3)在紫外LED器件(10)的波长值为W3时的激发响应度。

6.根据权利要求5所述的紫外LED器件测试方法,其特征在于:所述的紫外LED器件(10)的波长为200nm至400nm,所述的第一荧光罩(2)和第二荧光罩(3)的发射主波长范围分别为400nm至780nm,所述的第一荧光罩(2)和第二荧光罩(3)采用的荧光粉包括硅酸盐、铝酸盐、氮化物或氧化物。

7.根据权利要求5所述的紫外LED器件测试方法,其特征在于:所述的光参数测试仪(4)包括用于收集从第一荧光罩(2)和第二荧光罩(3)射出光的光收集装置(41)及与光收集装置(41)连接的光谱仪(42),所述光收集装置(41)包括积分球、光纤或光探测器。

8.根据权利要求6所述的紫外LED器件测试方法,其特征在于:所述的测试台(1)上还电连接有能测出紫外LED器件(10)的电参数的电参数测试仪(5)。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山市光圣半导体科技有限责任公司,未经中山市光圣半导体科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711201102.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top