[发明专利]显示装置

说明书

本揭露提供一显示装置，包含：一第一基板；一第一晶体管设置于该第一基板之上，其中，该第一晶体管包含一氧化物半导体层；以及一第二晶体管设置于该第一基板之上，其中，该第二晶体管包含一硅半导体层，其中，该氧化物半导体层包含铟、镓、以及氧；且在该氧化物半导体层中，氧的原子百分比比上铟和镓的原子百分比的和大于或等于1且小于或等于3。

技术领域

本揭露关于一种显示装置，更具体地，关于一种具有包含各种元素浓度的氧化物半导体层的晶体管的显示装置。

背景技术

随着显示器相关技术的不断进步，所有的显示面板现今均朝体积小、厚度薄、和亮度高发展。这种趋势使薄型显示器，如液晶显示面板、有机发光二极管显示面板和无机发光二极管显示面板，将阴极射线管显示器取代为市场上的主流显示装置。薄型显示器的应用很多，大多数应用于日常使用的电子产品，例如手机、笔记本电脑、摄影机、静态照相机、音乐播放器、移动导航装置和电视机均采用这样的显示面板。

虽然液晶显示装置和有机发光二极管显示装置在市场上很受欢迎，特别是其中LCD显示装置享有技术成熟度，但是制造商甚至付出更多努力在显示质量方面来改善显示装置，从而应对显示装置的持续的技术发展和消费者日益增长的需求。

薄膜晶体管(TFT)可以是具有高载子移动率的多晶硅薄膜晶体管(TFT)，或具有低泄漏的金属氧化物薄膜晶体管(TFT)。目前没有组合这两种晶体管形式的显示器，因为用于制造这两种晶体管的制造过程并不兼容，使这种显示装置的整体制造变得复杂(例如通过需要更多次的化学气相沉积)。

有鉴于此，有需要改进和简化用于制造具有多晶硅薄膜晶体管(TFT)和金属氧化物薄膜晶体管(TFT)的薄膜晶体管(TFT)基板的过程。

发明内容

本揭露的目的为提供一包含具有氧化物半导体层的晶体管的显示装置，其中，调整该氧化物半导体层中元素的原子百分比以提供改善的电气性能或可靠度。

于本揭露的一形式，显示装置包含：一第一基板；一第一晶体管设置于该第一基板之上，其中，该第一晶体管包含一氧化物半导体层；以及一第二晶体管设置于该第一基板之上，其中，该第二晶体管包含一硅半导体层，其中，该氧化物半导体层包含铟、镓、以及氧；且在该氧化物半导体层中，氧的原子百分比比上铟和镓的原子百分比的和大于或等于1且小于或等于3。

于本揭露的另一形式，显示装置包含：一第一基板；以及一第一晶体管设置于该第一基板之上，其中，该第一晶体管包含一氧化物半导体层，其中，该氧化物半导体层包含铟、镓、锌、以及氧；在该氧化物半导体层中，氧的原子百分比比上铟和镓的原子百分比的和大于或等于1且小于或等于3；以及在该氧化物半导体层中，铟和镓的原子百分比的和比上锌的原子百分比大于或等于1且小于或等于3。

在上述两形式的显示装置中，调整于第一晶体管中氧化物半导体层的元素的原子百分比，更具体地，在氧化物半导体层中，氧的原子百分比比上铟和镓的原子百分比的和大于或等于1且小于或等于3，即1≦O/(In+Ga)≦3。

当氧化物半导体层中的原子百分比在上述范围内时，包含氧化物半导体层的第一晶体管具有改善的电气性能和可靠度。

从下列结合附图的详细描述中，本揭露的其他目的、优点和新颖特征将变得更加明显。

附图说明

图1为根据本揭露一实施例的显示装置的剖面示意图。

图2为根据本揭露一实施例的显示装置的俯视图。

图3为根据本揭露一实施例的显示装置的像素的等效电路图。

图4为根据本揭露一实施例的显示装置的剖面示意图。

图5为根据本揭露一实施例的晶体管的剖面示意图。