[发明专利]显示装置

权利要求书

1.一种显示装置，其特征在于，包含：

一第一基板；

一像素单元设置于该第一基板之上，包含：

一切换薄膜晶体管设置于该第一基板之上，其中，该切换薄膜晶体管包含一氧化物半导体层；

一驱动薄膜晶体管设置于该第一基板之上，其中，该驱动薄膜晶体管包含一硅半导体层；

一重置薄膜晶体管设置于该第一基板之上，其中，该重置薄膜晶体管包含一硅半导体层；

以及

一发光薄膜晶体管设置于该第一基板之上，其中，该发光薄膜晶体管包含一硅半导体层，

其中，该氧化物半导体层包含铟、镓、以及氧；且在该氧化物半导体层中，氧的原子百分比比上铟和镓的原子百分比的和大于或等于1且小于或等于3；

其中，该驱动薄膜晶体管、重置薄膜晶体管及发光薄膜晶体管其中之一的硅半导体层与该切换薄膜晶体管的氧化物半导体层于该第一基板的法线方向上部份重叠。

2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中，该氧化物半导体层具有一第一区域及一第二区域，该第一区域位于该第二区域与该第一基板之间，且该第一区域中铟的浓度大于该第二区域中铟的浓度。

3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，其中，该第一区域中镓的浓度小于该第二区域中镓的浓度。

4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，其中，该切换薄膜晶体管还包含一第一源极电极和一第一漏极电极，该第一源极电极和该第一漏极电极设置于该氧化物半导体层上，且该第一源极电极和该第一漏极电极与该第二区域接触。

5.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，其中，该氧化物半导体层还包含锌，且该第一区域中锌的浓度大于该第二区域中锌的浓度。

6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中，该氧化物半导体层还包含锌，且在该氧化物半导体层中，铟和镓的原子百分比的和比上锌的原子百分比大于或等于1且小于或等于3。

7.如权利要求1所述的显示装置，还包含一栅极绝缘层设置于该氧化物半导体层之下，以及一钝化层设置于该氧化物半导体层上，其特征在于，其中，该栅极绝缘层和该钝化层分别包含氧化硅，且该栅极绝缘层中氧化硅的氧的浓度小于该钝化层中氧化硅的氧的浓度。

8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该显示装置还包含一显示区域和一周边区域，其中该周边区域与该显示区域相邻，一第二晶体管包含一硅半导体层且设置于该周边区域中。

9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该显示装置还包含一显示区域和一周边区域，其中该周边区域与该显示区域相邻，且该像素单元设置于该显示区域中。

10.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，其中，该氧化物半导体层包含铟、镓、锌、以及氧；在该氧化物半导体层中，铟和镓的原子百分比的和比上锌的原子百分比大于或等于1且小于或等于3。