[发明专利]半导体结构及其形成方法有效

申请号：	201711190676.1	申请日：	2017-11-24
公开（公告）号：	CN109841628B	公开（公告）日：	2021-05-28
发明（设计）人：	廖廷丰	申请（专利权）人：	旺宏电子股份有限公司
主分类号：	H01L27/11524	分类号：	H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578;H01L23/00
代理公司：	中科专利商标代理有限责任公司 11021	代理人：	李春伟
地址：	中国台湾新竹***	国省代码：	台湾;71
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摘要：
搜索关键词：	半导体结构及其形成方法
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【说明书】：

一种半导体结构包括多个次阵列结构，通过多个隔离结构彼此分离。此种半导体结构还包括多个存储单元构成的一三维阵列。该些存储单元包括多个存储单元群，分别设置在次阵列结构中。此种半导体结构还包括多个导电结构。导电结构的每一个包括沿着隔离结构的一延伸方向对应设置在隔离结构的每一个中的多个导电柱。导电柱穿过隔离结构的每一个。导电柱的每一个具有圆形剖面。

技术领域

本发明是关于一种半导体结构及其形成方法。本发明特别是关于一种包括多个存储单元构成的三维阵列的半导体结构及其形成方法。

背景技术

为了减少体积、降低重量、增加功率密度、和改善可携带性等理由，三维(3D)半导体结构被发展出来。在一些三维半导体结构的典型工艺中，可形成包括多个层的堆叠在基板上，接着形成多个开口穿过堆叠，并提供用于形成垂直结构的合适材料至开口中。开口和形成于其中的垂直结构典型地具有高深宽比。这可能导致内部应力并从而造成装置的变形(distortion)和失效(failure)。

发明内容

本发明是针对一种半导体结构及其形成方法。根据本发明，能够通过特别的结构设计，减低半导体结构中的应力的影响。

在一些实施例中，提供一种半导体结构。此种半导体结构包括多个次阵列结构，通过多个隔离结构彼此分离。此种半导体结构还包括多个存储单元构成的一三维阵列。该些存储单元包括多个存储单元群，分别设置在次阵列结构中。此种半导体结构还包括多个导电结构。导电结构的每一个包括沿着隔离结构的一延伸方向对应设置在隔离结构的每一个中的多个导电柱。导电柱穿过隔离结构的每一个。导电柱的每一个具有圆形剖面。

在一些实施例中，提供一种半导体结构的形成方法。此种形成方法包括下列步骤。首先，提供一起始结构。起始结构包括通过多个隔离区彼此分离的多个次阵列结构。次阵列结构的每一个包括一堆叠和穿过堆叠的多个主动结构。主动结构的每一个包括一通道层和形成在通道层和堆叠之间的一存储层。形成多个隔离结构分别位于隔离区中。接着，形成多个导电柱于隔离结构中。导电柱穿过隔离结构。导电柱的每一个具有圆形剖面。

为了对本发明的上述及其他方面有更好的了解，下文特举实施例，并配合所附附图详细说明如下：

附图说明

图1A～图1D绘示根据实施例的一例示性半导体结构。

图2绘示用于比较的一传统半导体结构。

图3A～图10B绘示根据实施例的半导体结构的一例示性制造方法。

【符号说明】

100：半导体结构

102：次阵列结构

104：隔离结构

106：基板

108：堆叠

110：导电层