[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

多个次阵列结构，通过多个隔离结构彼此分离；

多个存储单元构成的一三维阵列，其中该些存储单元包括多个存储单元群，分别设置在该些次阵列结构中；以及

多个导电结构，其中该些导电结构的每一个包括沿着该些隔离结构的一延伸方向对应设置在该些隔离结构的每一个中的多个导电柱，该些导电柱穿过该些隔离结构的该每一个，且该些导电柱的每一个具有圆形剖面；

其中，该些导电柱的圆形剖面的直径大于该隔离结构的最小宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该些导电结构的该每一个还包括：

一导电线，设置在该些导电柱上，该导电线连接该些导电柱。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该些导电结构为源线结构。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该些次阵列结构的每一个包括：

一堆叠，包括交替堆叠的多个导电层和多个绝缘层；以及

多个主动结构，穿过该堆叠，该些主动结构的每一个包括：

一通道层；及

一存储层，设置在该通道层和该堆叠之间；

其中设置在该些次阵列结构的该每一个中的该存储单元群的该些存储单元，通过该堆叠的该些导电层和该些主动结构之间的交点来定义；

其中在一第一列中的该些主动结构与设置在该些隔离结构的其中一个中的该些导电柱相邻设置，且在该第一列中的该些主动结构与设置在该些隔离结构的该其中一个中的该些导电柱交错配置。

5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中在一第二列中的该些主动结构在相对于该些隔离结构的该其中一个的一侧与在该第一列中的该些主动结构相邻设置，在该第二列中的该些主动结构与在该第一列中的该些主动结构交错配置，且在该第二列中的该些主动结构与设置在该些隔离结构的该其中一个中的该些导电柱彼此对准。

6.根据权利要求4所述的半导体结构，其中设置在该些隔离结构的该其中一个中的该些导电柱的其中一个与在该第一列中的该些主动结构中的相邻二者配置为形成等腰三角形。

7.一种半导体结构的形成方法，包括：

提供一起始结构，其中该起始结构包括通过多个隔离区彼此分离的多个次阵列结构，该些次阵列结构的每一个包括一堆叠和穿过该堆叠的多个主动结构，且该些主动结构的每一个包括一通道层和形成在该通道层和该堆叠之间的一存储层；

形成多个隔离结构分别位于该些隔离区中；以及

形成多个导电柱于该些隔离结构中，该些导电柱穿过该些隔离结构，该些导电柱的每一个具有圆形剖面；

其中，该些导电柱的圆形剖面的直径大于该隔离结构的最小宽度。

8.根据权利要求7所述的形成方法，其中该起始结构的该些堆叠包括交替堆叠的多个牺牲层和多个绝缘层，且该形成方法还包括：

形成多个沟槽分别位于该些隔离区中；以及

通过该些沟槽以多个导电层取代该些牺牲层；

其中形成该些隔离结构的步骤包括：

通过该些沟槽移除位于该些隔离区中的该些导电层；以及

填充一绝缘材料至该些沟槽以及由移除位于该些隔离区中的该些导电层所形成的空间中。

9.根据权利要求7所述的形成方法，其中形成该些导电柱的步骤包括：

形成多个孔洞穿过该些隔离结构，该些孔洞的每一个具有圆形剖面；

形成多个阻障层分别位于该些孔洞的多个侧壁上；以及

以一导电材料填充该些孔洞，以形成多个导电芯分别位于该些孔洞中。

10.根据权利要求7所述的形成方法，还包括：

形成多个导电线于该些导电柱上，该些导电线的每一个连接对应形成于该些隔离结构的每一个中的该些导电柱。