[发明专利]薄膜晶体管、制备方法、检测器件、阵列基板及显示装置

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管、制备方法、检测器件、阵列基板及显示装置；薄膜晶体管包括基板，依次设置在基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极；半导体层与栅极之间通过栅极绝缘层隔开，源极和漏极分别与半导体层连接；栅极绝缘层至少包括第一部分和第二部分；第一部分的下端面设置有栅极，第二部分的上端面设置有半导体层；第一部分的上端面或第二部分的下端面设置有凸起结构，用于使得所述栅极绝缘层的第一部分和第二部分通过凸起结构连接。所述薄膜晶体管、制备方法、检测器件、阵列基板及显示装置能够利用薄膜晶体管的电容变化特性提供基于改变电容的压力、温度等检测或者相应的显示控制功能。

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管相关技术领域，特别是指一种薄膜晶体管、制备方法、检测器件、阵列基板及显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor)是一种薄膜型的半导体开关器件，其在显示技术(液晶显示技术、有机发光二极管显示技术)、集成电路技术等领域中被广泛应用。不管是LCD(Liquid Crystal Display)显示装置还是OLED(Organic Light Emitting Display)显示装置，均设置有作为控制开关的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)。在TFT-LCD中，需要使用薄膜晶体管场效应管(TFT)。通常TFT由栅极、源极、漏极、有源层等形成，通过栅极控制TFT以使得TFT起到开关作用，通过外接输入的数据电信号产生电容的电势变化，从而驱动液晶偏转，在屏幕上呈现出图像或者画面。

此外，对于薄膜晶体管来说，一方面通过栅极控制信号的变化能够实现开关作用，另一方面，其本身电容的变化也会影响流过源漏极电流，而当前对于薄膜晶体管的应用大多只是利用其开关特性，使得薄膜晶体管的功能单一，无法充分利用薄膜晶体管的优点和特性。

因此，在实现本申请的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下缺陷：没有发掘利用薄膜晶体管的电容变化特性，使得薄膜晶体管的功能单一。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提出一种薄膜晶体管、制备方法、检测器件、阵列基板及显示装置，能够利用薄膜晶体管的电容变化特性提供基于改变电容的压力、温度等检测或者相应的显示控制功能，从而挖掘薄膜晶体管的新应用。

基于上述目的，本发明在第一方面提供了一种薄膜晶体管，包括：基板，依次设置在所述基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极；半导体层与栅极之间通过栅极绝缘层隔开，源极和漏极分别与半导体层连接；所述栅极绝缘层至少包括第一部分和第二部分；所述第一部分的下端面设置有栅极，所述第二部分的上端面设置有半导体层；所述第一部分的上端面或所述第二部分的下端面设置有凸起结构，用于使得所述栅极绝缘层的第一部分和第二部分通过所述凸起结构连接。

可选的，所述栅极绝缘层中所述第一部分的上端面和所述第二部分的下端面均设置有凸起结构。

可选的，所述凸起结构的截面为三角形或者所述凸起结构的截面为相邻圆弧之间形成的弧状凸起结构。

可选的，所述第一部分和第二部分之间设置有微球；所述第一部分的上端面和所述第二部分的下端面均设置有相互配合的凸起结构；所述凸起结构的截面为相邻圆弧之间形成的弧状凸起结构，用于使得第一部分和第二部分之间形成容纳所述微球的空间。

可选的，所述微球的材料为纳米级PS材料。

可选的，所述凸起结构的材料为弹性聚合物材料。

可选的，所述弹性聚合物为高弹性高介电常数的聚合物。

可选的，所述弹性聚合物为PS、PMMA、PS-P2VP的嵌段聚合物中的一种或者多种混合。

在本申请的第二方面，还提供了一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

在衬底基板上制备栅极层；