[发明专利]薄膜晶体管、制备方法、检测器件、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板，依次设置在所述基板上的栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极；半导体层与栅极之间通过栅极绝缘层隔开，源极和漏极分别与半导体层连接；所述栅极绝缘层至少包括第一部分和第二部分；所述第一部分的下端面设置有栅极，所述第二部分的上端面设置有半导体层；所述第一部分的上端面或所述第二部分的下端面设置有凸起结构，用于使得所述栅极绝缘层的第一部分和第二部分通过所述凸起结构连接；所述第一部分和第二部分之间设置有微球，所述微球能够基于温度的变化而出现膨胀或者收缩；所述第一部分的上端面和所述第二部分的下端面均设置有相互配合的凸起结构；所述凸起结构的截面为相邻圆弧之间形成的弧状凸起结构，用于使得第一部分和第二部分之间形成容纳所述微球的空间。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述微球的材料为纳米级PS材料。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凸起结构的材料为弹性聚合物材料。

4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述弹性聚合物为高弹性高介电常数的聚合物。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述弹性聚合物为PS、PMMA、PS-P2VP的嵌段聚合物中的一种或者多种混合。

6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：

在衬底基板上制备栅极层；

在所述栅极层上制备第一层栅极绝缘层；

在衬底基板上制备第二层栅极绝缘层、半导体层以及源漏极；

通过转印工艺，将第二层栅极绝缘层、半导体层以及源漏极转印至所述第一层栅极绝缘层上；

其中，在转印之前还包括：

在所述第一层栅极绝缘层或第二层栅极绝缘层上通过纳米压印工艺制备凸起结构；

在所述凸起结构之间涂覆一层微球，所述微球能够基于温度的变化而出现膨胀或者收缩；

在所述第一层栅极绝缘层上通过纳米压印工艺制备凸起结构之后还包括：

在所述第二层栅极绝缘层上通过纳米压印工艺制备凸起结构；

其中，所述凸起结构为相邻圆弧之间形成的弧状凸起结构，且与微球尺寸相适配。

7.一种检测器件，其特征在于，所述检测器件包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括权利要求1-5任一项所述的薄膜晶体管。

9.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求8所述的阵列基板。