[发明专利]电子部件筛选方法及装置、编带电子部件串列的制造装置

权利要求书

1.一种电子部件的筛选方法，是包含磁性材料的电子部件的筛选方法，其中，

上述电子部件是在筛选后被退磁处理的部件，

上述电子部件的筛选方法包含：

使施加有偏置电压的测定端子与上述电子部件的外部电极接触来对与上述测定端子接触的上述外部电极的接触部分进行清洁，并经由上述测定端子来测定上述电子部件的阻抗值的工序；和

将测定出的阻抗值与和上述电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值进行比较来判定上述电子部件的优劣，筛选合格的上述电子部件的工序，

上述电子部件是包含由被层叠的多个线圈图案构成的线圈导体的层叠电感器，将上述线圈图案的层叠方向设为高度方向T，将与上述线圈图案平行的方向设为宽度方向W，将与高度方向T和宽度方向W正交的方向设为长度方向L，

将在由长度方向L和宽度方向W规定的LW面上实施了上述测定的工序的情况下的阻抗值的因退磁引起的变化率设为LW方向退磁变化率，

将在由长度方向L和高度方向T规定的LT面上实施了上述测定的工序的情况下的阻抗值的因退磁引起的变化率设为LT方向退磁变化率，

基于用于上述电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在上述电子部件的退磁中上述阻抗值变化的退磁变化率，通过下式来设定上述上限筛选阈值和上述下限筛选阈值，

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+LW方向退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+LT方向退磁变化率)。

2.根据权利要求1所述的电子部件的筛选方法，其中，

将通过使上述测定端子与上述LW面的上述外部电极接触而测定出的退磁前的阻抗值设为Z1，将退磁后的阻抗值设为Z2，

通过下式来设定上述LW方向退磁变化率，

LW方向退磁变化率＝(Z1－Z2)/Z2，

将使上述测定端子与上述LT面的上述外部电极接触而测定出的退磁前的阻抗值设为Z3，将退磁后的阻抗值设为Z4，

通过下式来设定上述LT方向退磁变化率，

LT方向退磁变化率＝(Z3－Z4)/Z4。

3.根据权利要求1所述的电子部件的筛选方法，其中，

包含测定上述电子部件的电阻值的工序，

在判定上述电子部件的优劣的工序中，基于上述阻抗值和上述电阻值来进行判定。

4.一种电子部件的筛选装置，是包含磁性材料的电子部件的筛选装置，其中，

上述电子部件是在筛选后被退磁处理的部件，

上述电子部件的筛选装置包含：

测定部，使施加有偏置电压的测定端子与上述电子部件的外部电极接触来对与上述测定端子接触的上述外部电极的接触部分进行清洁，并经由上述测定端子来测定上述电子部件的阻抗值；

控制部，将测定出的阻抗值与和上述电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值进行比较来判定上述电子部件的优劣；以及

筛选部，基于上述控制部的判定结果，来筛选合格的上述电子部件，

上述电子部件是包含由被层叠的多个线圈图案构成的线圈导体的层叠电感器，将上述线圈图案的层叠方向设为高度方向T，将与上述线圈图案平行的方向设为宽度方向W，将与高度方向T和宽度方向W正交的方向设为长度方向L，

将在由长度方向L和宽度方向W规定的LW面上实施了上述测定的工序的情况下的阻抗值的因退磁引起的变化率设为LW方向退磁变化率，

将在由长度方向L和高度方向T规定的LT面上实施了上述测定的工序的情况下的阻抗值的因退磁引起的变化率设为LT方向退磁变化率，

上述控制部基于用于上述电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在上述电子部件的退磁中上述阻抗值变化的退磁变化率，通过下式来设定上述上限筛选阈值和上述下限筛选阈值，

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+LW方向退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+LT方向退磁变化率)。

5.一种编带电子部件串列的制造装置，是生成下述编带电子部件串列的编带电子部件串列的制造装置，上述编带电子部件串列具有：载带，具有沿着长边方向隔开间隔形成的多个收容孔；电子部件，被收容于上述收容孔；以及盖带，封闭上述收容孔，

上述编带电子部件串列的制造装置包含：

输送部，将上述电子部件输送至上述载带；

测定部，设置于上述输送部中的上述电子部件的输送路径，在与上述电子部件接触的一对测定端子之间施加偏置电压并使该测定端子与上述电子部件的外部电极接触来对与上述测定端子接触的上述外部电极的接触部分进行清洁，并经由上述测定端子来测定上述电子部件的特性；

控制部，将测定出的阻抗值与和上述电子部件对应的上限筛选阈值以及下限筛选阈值进行比较来判定上述电子部件的优劣；

筛选部，基于上述控制部的判定结果，来筛选合格的上述电子部件；

卷绕部，将上述编带电子部件串列卷绕；以及

退磁装置，配置于上述输送部与上述卷绕部之间，

上述电子部件是包含由被层叠的多个线圈图案构成的线圈导体的层叠电感器，将上述线圈图案的层叠方向设为高度方向T，将与上述线圈图案平行的方向设为宽度方向W，将与高度方向T和宽度方向W正交的方向设为长度方向L，

将在由长度方向L和宽度方向W规定的LW面上实施了上述测定的工序的情况下的阻抗值的因退磁引起的变化率设为LW方向退磁变化率，

将在由长度方向L和高度方向T规定的LT面上实施了上述测定的工序的情况下的阻抗值的因退磁引起的变化率设为LT方向退磁变化率，

上述控制部基于用于上述电子部件出厂的出厂上限阈值和出厂下限阈值以及在上述电子部件的退磁中上述阻抗值变化的退磁变化率，通过下式来设定上述上限筛选阈值和上述下限筛选阈值，

上限筛选阈值＝出厂上限阈值×(1+LW方向退磁变化率)

下限筛选阈值＝出厂下限阈值×(1+LT方向退磁变化率)。