[发明专利]一种新型的γ光子高空间分辨率探测装置在审
申请号: | 201711188081.2 | 申请日: | 2017-11-24 |
公开(公告)号: | CN107942367A | 公开(公告)日: | 2018-04-20 |
发明(设计)人: | 沈激;刘伟鹏;华仁军 | 申请(专利权)人: | 合肥吾法自然智能科技有限公司 |
主分类号: | G01T1/202 | 分类号: | G01T1/202;G01T1/24 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 光子 空间 分辨率 探测 装置 | ||
技术领域
本发明涉及相机成像领域,具体为一种γ光子探测器。
技术背景
自从anger相机发明以来,由于其拥有较大视野,能够提供观测对象静态或者动态的图像,所以在医疗成像领域得到了广泛的应用。在常见的γ相机、单光子发射计算机断层扫描成像(SPECT)以及正电子发射断层成像(PET)装置中大量使用这种结构。其典型结构如图1所示,其包括四个部分:第一部分,入射γ光子经过准直器4进入闪烁体3;第二部分,在闪烁体3中产生荧光光子;第三部分,荧光光子经过光导层2耦合到光电倍增管(PMT)1;第四部分,经过后面的重心读出电路来重建图像。这种结构中,影响相机分辨率的因素主要有:第一部分准直器4结构的材料,长度,和孔径大小;第二部分闪烁体3的发光效率;第三部分光导层2的均匀性和传输效率;第四部分光电倍增管(PMT)1的尺寸和固体参数的均匀性等。目前来说,受困于光电倍增管(PMT)1的尺寸和固体参数均匀性的影响,γ相机和以γ相机为基础的单光子发射计算机断层扫描成像(SPECT)和正电子发射断层成像(PET)的分辨率只能做到约4mm。
最近几年半导体光电器件——硅光电倍增管SiPM(Silicon Photomultipliers)的发展让困扰anger 相机的分辨率的瓶颈存在被解决的可能。SiPM在不低于PMT增益系数的前提下,可以将荧光探测效率提高到80%左右,并且其紧凑的结构可以使其空间分辨率低到几十个微米量级,因此我们通过使用SiPM替代PMT,并且采用新的读出结构,可以将γ探测器的空间分辨率降低到亚毫米量级。
也有很多公司专门对这样一种替代展示了自己的设想机构,比如专利申请号为200680031135.8的高分辨率医疗成像探测器的发明专利所提到的结构,该专利在SiPM这种器件刚出现的时候申请改造,其思考的方式也非常简单,直接用SiPM代替anger相机中的PMT,构造了如图2中的结构,γ光44通过准直器40 进入闪烁体30变成荧光光子,荧光光子通过光导46直接耦合到的SiPM面阵列20中,经过后面的读出电路来重建图像。SiPM 47直接贴在闪烁体30的侧面上作为记数触发开关。这样一种结构可以很明显的改善γ探测器的空间分辨率,可以达到2mm以下。
然而在这种结构中,为了提高空间分辨率,作为光电转换单元的SiPM的面积必须明显小于PMT光阴极面积,这样大大提高了光电转换元件的数量;另一方面,SiPM之间的拼接必须无缝,这样大大提高了工艺难度。而为了降低相邻单元间的串扰,SiPM单元之间的拼接一般存在毫米量级的缝隙,这就降低了光电转换部分的光子接收效率。上述因素,使得该结构在合理造价范围内,不能有效地将空间分辨提高到毫米以下。
发明内容
本发明为了提升γ探测器的空间分辨率并降低相机造价,采用的技术方案是:一种新型的γ光子高空间分辨率探测装置,包括多个SiPM,以及两表面附着有光导层的闪烁体,还包括二维光纤层,其包括两层或更多层状的光纤层,该二维光纤层的两个维度的光纤层分开,并平铺在闪烁体的两表面上;或者该二维光纤层相互附着在闪烁体的任一表面上;
该二维光纤层的一端分别耦合在与其接触的闪烁体的光导层上,另一端分别耦合在线阵列的SiPM上;
另外的SiPM附着于闪烁体侧面提供光子计数的触发信号。
本发明的使用原理是,γ光子在闪烁体中发生闪烁产生荧光,荧光光子耦合进入二维光纤,二维光纤中的荧光光子经过线阵列SiPM进行光电转换和信号放大;同时,直接贴在闪烁体侧面的SiPM提供计数触发信号,重心读出电路在接到触发信号的时候,开始读出线阵列SiPM的输出信号,再通过模数转换器变成数字信号,最后,进入计算机进行图像重建。
本发明进一步的方案是,所述的二维光纤层为两层状的光纤层,分开平铺在闪烁体的两表面上;
进一步的,所述的二维光纤层为两层状的光纤层,其相互附着在闪烁体的任一表面上;
进一步的,其探测装置还包括一个同样的闪烁体;该两个闪烁体夹持所述的两层状的二维光纤层。
进一步的,其探测装置还包括一个同样的二维光纤层,其相互附着在闪烁体的另一表面。
进一步的,所述的二维光纤层的光纤可以使用普通光纤,也可以使用波移光纤。
进一步的,所述的二维光纤层的两个维度层位置可互换。
进一步的,所述的二维光纤层为X轴光纤层和Y轴光纤层,或者为X轴光纤层和z轴光纤层,或者为y 轴光纤层和z轴光纤层。
进一步的,在所述的闪烁体上,与二维光纤层接触的光导层至少为一层。
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