[发明专利]阵列基板缺陷修补方法在审

专利信息
申请号: 201711183998.3 申请日: 2017-11-23
公开(公告)号: CN107703657A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 申肖晴;金元仲 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1362
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 代理人: 孙伟峰,顾楠楠
地址: 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 阵列 缺陷 修补 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种显示面板技术,特别是一种阵列基板缺陷修补方法。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示面板已经日益普及至各行各业,而在TFT(Thin Film Transisto,薄膜晶体管)阵列基板中,子像素缺陷时常出现,子像素缺陷不仅影响薄膜晶体管显示面板的品质,而且也会大大的增加了生产成本,目前行业中还没有一种较好的对子像素缺陷进行修补的方法,。

发明内容

为克服现有技术的不足,本发明提供一种阵列基板缺陷修补方法,从而提高修补成功率以及降低修补的难度。

本发明提供了一种阵列基板缺陷修补方法,包括如下步骤:

将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除;

对该缺陷子像素进行切割;

将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连。

进一步地,所述将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层进行打孔。

进一步地,所述对该缺陷子像素进行切割包括将缺陷子像素分割为两半。

进一步地,所述将缺陷子像素分割为两半具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层分割为两半。

进一步地,所述将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连具体为将缺陷子像素中分割后的缺陷部分所在膜层与相邻正常的子像素中对应膜层相连。

进一步地,所述将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连采用化学气相沉积的方式进行。

进一步地,所述分割采用沿缺陷子像素的对角线或相对两侧的中点连线进行切割。

进一步地,所述在将缺陷子像素中缺陷部分进行打孔之前,对阵列基板的每一道制程进行监控。

进一步地,当其中一道制程中出现缺陷子像素时,停机并对缺陷子像素进行修补。

本发明与现有技术相比,通过对缺陷子像素中缺陷部分进行打孔、切割、与相邻的正常的子像素连接最终达到修补的作用,而且由于本发明中的修补为修补缺陷部分所在的膜层,因此其修补难度低,提高修补的成功率。

附图说明

图1是本发明修补方法的流程图;

图2是本发明缺陷子像素中缺陷部分的示意图;

图3是本发明剔除缺陷部分的示意图;

图4是本发明对缺陷子像素进行切割的示意图;

图5是本发明将切割后的缺陷子像素与相邻正常子像素进行相连的示意图;

图6是相连后的亮度示意图;

图7是本发明的第一种切割位置的示意图;

图8是本发明的第二种切割位置的示意图;

图9是本发明的第三种切割位置的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。

如图1所示,本发明提供了一种阵列基板缺陷修补方法,包括如下步骤:

步骤S01、如图3所示,将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除(图中黑色填充部分为缺陷部分,即标示11);在该步骤中,缺陷子像素的四周可能均具有一个正常的子像素(图2所示),也有可能在缺陷子像素的至少两侧有一个正常的子像素;具体地,将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层进行打孔,这里的打孔可采用现有技术中缺陷修补时所采用的修补机台对缺陷部分进行打孔;但本发明不限于此,还可以采用将缺陷子像素中缺陷部分对应位置进行打孔,即将缺陷部分所在膜层以及缺陷部分对应的其余膜层均进行剔除。所述打孔的孔为矩形孔、圆孔等。

步骤S02、如图4所示,对该缺陷子像素进行切割;具体地,所述对该缺陷子像素进行切割包括将缺陷子像素分割为两半;在本发明中将缺陷子像素分割为两半具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层分割为两半;但本发明不限于此,分割还可以为将缺陷子像素整体分割成两半。

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