[发明专利]阵列基板缺陷修补方法在审
| 申请号： | 201711183998.3 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107703657A | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 申肖晴;金元仲 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司44304 | 代理人： | 孙伟峰,顾楠楠 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 缺陷 修补 方法 | ||
1.一种阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：包括如下步骤：
将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除；
对该缺陷子像素进行切割；
将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连。
2.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：所述将缺陷子像素中缺陷部分进行剔除具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层进行打孔。
3.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：所述对该缺陷子像素进行切割包括将缺陷子像素分割为两半。
4.根据权利要求3所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：所述将缺陷子像素分割为两半具体为将缺陷子像素中缺陷部分所在膜层分割为两半。
5.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：所述将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连具体为将缺陷子像素中分割后的缺陷部分所在膜层与相邻正常的子像素中对应膜层相连。
6.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：所述将切割后的缺陷子像素与相邻的正常的子像素相连采用化学气相沉积的方式进行。
7.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：所述分割采用沿缺陷子像素的对角线或相对两侧的中点连线进行切割。
8.根据权利要求1所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：所述在将缺陷子像素中缺陷部分进行打孔之前，对阵列基板的每一道制程进行监控。
9.根据权利要求8所述的阵列基板缺陷修补方法，其特征在于：当其中一道制程中出现缺陷子像素时，停机并对缺陷子像素进行修补。
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