[发明专利]一种发光二极管芯片阵列、显示面板及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片阵列、显示面板及其制作方法。

背景技术

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。LED芯片广泛应用在户内和户外的显示屏上。从电视机显示屏，到电脑显示屏，再到手机显示屏，显示屏的尺寸逐渐减小，显示密度逐渐增大，应用在显示屏上的LED芯片的尺寸需要相应减小，从而使得尺寸大小达到微米级的微型发光二极管(英文简称：Micro LED)芯片广泛应用在显示屏上。

Micro LED芯片应用在显示屏上时，通常是先制作若干相互独立的芯片，芯片包括依次层叠的N型半导体层、发光层、P型半导体层和P型电极；再对所有的芯片进行巨量转移，将各个芯片固定在控制电路板上形成显示面板。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

各个芯片之间是相互独立的，在一次或多次芯片巨量转移的过程中，难免会有部分芯片实际固定在控制电路上的位置与预先设计的位置存在一定的偏差。由于芯片的尺寸只有微米级，因此很小的偏差也会造成显示面板的像素失效，并且很难纠正，使得显示面板的不良率较高，增加了制作成本。

发明内容

为了解决现有技术的偏差造成显示面板失效、造成制作成本高问题，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片阵列、显示面板及其制作方法。所述技术方案如下：

第一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管芯片阵列，所述发光二极管芯片阵列包括第一导电型半导体层、第一导电型电极、反射绝缘层和至少两个叠层结构；所述第一导电型电极和所述至少两个叠层结构间隔设置在所述第一导电型半导体层的第一表面上，每个所述叠层结构包括依次层叠在所述第一导电型半导体层的第一表面上的发光层、第二导电型半导体层、欧姆接触层和第二导电型电极，相邻两个所述叠层结构之间设有从所述第二导电型电极延伸至所述第一导电型半导体层的凹槽；所述第二导电型电极和所述欧姆接触层中的至少一个中设有反射层，所述反射绝缘层从各个所述叠层结构的欧姆接触层铺设至所述第一导电型半导体层。

可选地，所述反射绝缘层还设置在所述凹槽内的第一导电型半导体层上。

可选地，所述反射绝缘层包括交替层叠的多个第一金属氧化物薄膜和多个第二金属氧化物薄膜，所述第一金属氧化物薄膜的材料的折射率与所述第二金属氧化物薄膜的材料的折射率不同，且第一金属氧化物薄膜的材料和第二金属氧化物薄膜的材料为绝缘材料。

可选地，所述反射层包括依次层叠的金属反射层、金属粘附层和金属保护层。

可选地，所述第一导电型半导体层的第二表面具有多个凸块，各个所述凸块的高度小于所述第一导电型半导体层的厚度，所述第一导电型半导体层的第二表面为与所述第一导电型半导体层的第一表面相反的表面。

第二方面，本发明实施例提供了一种显示面板，所述显示面板包括控制电路板和发光二极管芯片阵列，所述发光二极管芯片阵列包括第一导电型半导体层、第一导电型电极、反射绝缘层和至少两个叠层结构；所述第一导电型电极和所述至少两个叠层结构间隔设置在所述第一导电型半导体层的第一表面上，每个所述叠层结构包括依次层叠在所述第一导电型半导体层的第一表面上的发光层、第二导电型半导体层、欧姆接触层和第二导电型电极，相邻两个所述叠层结构之间设有从所述第二导电型电极延伸至所述第一导电型半导体层的凹槽；所述第二导电型电极和所述欧姆接触层中的至少一个中设有反射层，所述反射绝缘层从各个所述叠层结构的欧姆接触层铺设至所述第一导电型半导体层；所述控制电路板的一个表面上间隔设有至少三个固晶电极，所述至少三个固晶电极分别与所述发光二极管芯片阵列中的不同电极固定连接，所述发光二极管芯片阵列中的电极包括第一导电型电极和第二导电型电极。

可选地，所述第一导电型半导体层的第二表面上设有至少两个颜色转换结构，所述至少两个颜色转换结构与所述至少两个叠层结构一一对应，所述第一导电型半导体层的第二表面为与所述第一导电型半导体层的第一表面相反的表面，所述颜色转换结构投影到所述第一导电型半导体层的第一表面上的区域包含所述颜色转换结构对应的叠层结构投影到所述第一导电型半导体层的第一表面上的区域，相邻两个所述颜色转换结构将同一波长的光线转换成不同的颜色。

第三方面，本发明实施例提供了一种显示面板的制作方法，所述制作方法包括：

在衬底上依次生长第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层；