[发明专利]一种发光二极管芯片阵列、显示面板及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片阵列，其特征在于，所述发光二极管芯片阵列包括第一导电型半导体层、第一导电型电极、反射绝缘层和至少两个叠层结构；所述第一导电型电极和所述至少两个叠层结构间隔设置在所述第一导电型半导体层的第一表面上，每个所述叠层结构包括依次层叠在所述第一导电型半导体层的第一表面上的发光层、第二导电型半导体层、欧姆接触层和第二导电型电极，相邻两个所述叠层结构之间设有从所述第二导电型电极延伸至所述第一导电型半导体层的凹槽；所述第二导电型电极和所述欧姆接触层中的至少一个中设有反射层，所述反射绝缘层从各个所述叠层结构的欧姆接触层铺设至所述第一导电型半导体层。

2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片阵列，其特征在于，所述反射绝缘层还设置在所述凹槽内的第一导电型半导体层上。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片阵列，其特征在于，所述反射绝缘层包括交替层叠的多个第一金属氧化物薄膜和多个第二金属氧化物薄膜，所述第一金属氧化物薄膜的材料的折射率与所述第二金属氧化物薄膜的材料的折射率不同，且第一金属氧化物薄膜的材料和第二金属氧化物薄膜的材料为绝缘材料。

4.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片阵列，其特征在于，所述反射层包括依次层叠的金属反射层、金属粘附层和金属保护层。

5.根据权利要求1或2所述的发光二极管芯片阵列，其特征在于，所述第一导电型半导体层的第二表面具有多个凸块，各个所述凸块的高度小于所述第一导电型半导体层的厚度，所述第一导电型半导体层的第二表面为与所述第一导电型半导体层的第一表面相反的表面。

6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括控制电路板和发光二极管芯片阵列，所述发光二极管芯片阵列包括第一导电型半导体层、第一导电型电极、反射绝缘层和至少两个叠层结构；所述第一导电型电极和所述至少两个叠层结构间隔设置在所述第一导电型半导体层的第一表面上，每个所述叠层结构包括依次层叠在所述第一导电型半导体层的第一表面上的发光层、第二导电型半导体层、欧姆接触层和第二导电型电极，相邻两个所述叠层结构之间设有从所述第二导电型电极延伸至所述第一导电型半导体层的凹槽；所述第二导电型电极和所述欧姆接触层中的至少一个中设有反射层，所述反射绝缘层从各个所述叠层结构的欧姆接触层铺设至所述第一导电型半导体层；所述控制电路板的一个表面上间隔设有至少三个固晶电极，所述至少三个固晶电极分别与所述发光二极管芯片阵列中的不同电极固定连接，所述发光二极管芯片阵列中的电极包括第一导电型电极和第二导电型电极。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述第一导电型半导体层的第二表面上设有至少两个颜色转换结构，所述至少两个颜色转换结构与所述至少两个叠层结构一一对应，所述第一导电型半导体层的第二表面为与所述第一导电型半导体层的第一表面相反的表面，所述颜色转换结构投影到所述第一导电型半导体层的第一表面上的区域包含所述颜色转换结构对应的叠层结构投影到所述第一导电型半导体层的第一表面上的区域，相邻两个所述颜色转换结构将同一波长的光线转换成不同的颜色。

8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

在衬底上依次生长第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层；

在所述第二导电型半导体层上开设至少两个延伸至所述第一导电型半导体层的凹槽，形成至少两个叠层结构，每个所述叠层结构包括第二导电型半导体层和发光层；

在各个所述叠层结构的第二导电型半导体层上形成欧姆接触层；

在从各个所述叠层结构的欧姆接触层延伸至所述第一导电型半导体层的区域上铺设反射绝缘层；

在各个所述叠层结构的欧姆接触层上设置第二导电型电极，在所述第一导电型半导体层上设置第一导电型电极，形成发光二极管芯片阵列，所述第二导电型电极和所述欧姆接触层中的至少一个中设有反射层；

将所述发光二极管芯片阵列中的各个电极分别与控制电路板上设置的不同固晶电极固定连接，所述发光二极管芯片阵列中的电极包括第一导电型电极和第二导电型电极；

去除所述衬底。