[发明专利]靶材及其处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及镀膜机技术领域，具体而言，涉及靶材及其处理方法。

背景技术

现有的半导体溅射用铝系列MRC铝靶材SPA12(AlSi)为平面设计，靶材溅射过程中由于客户端工艺制程不同，所选用的磁铁也各不相同，相应的溅射过后的表面曲线也不相同。然而在不同的溅射工艺制程下，相同的溅射靶材会产生不同的溅射效果，容易产生溅射时薄膜方块电阻的薄膜均匀性中心薄、边缘厚等薄膜不均匀的问题，该效果难以达到客户使用要求；一般的做法是将平面的靶材中心加厚，然而，增加中心靶材厚度只能解决溅射时薄膜方块电阻的薄膜均匀性中心薄、边缘厚的问题，无法解决溅射时薄膜方块电阻的薄膜均匀性的问题。

因此，提供一种能够解决溅射时薄膜方块电阻的薄膜均匀性问题的靶材及其处理方法成为本领域技术人员所要解决的重要技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种靶材，以缓解现有技术中靶材无法解决溅射时薄膜方块电阻的薄膜均匀性问题的技术问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种靶材，用于溅射在基板上形成各种功能薄膜，包括靶材本体；

所述靶材本体上表面向其中心凹陷形成弧面凹槽，以使靶材溅射时靶材原子均匀溅射在所述基板上。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第一种可能的实施方式，其中，上述弧面凹槽包括球面凹槽。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第二种可能的实施方式，其中，上述弧面凹槽包括波浪形凹槽。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第三种可能的实施方式，其中，上述弧面凹槽底面距所述靶材本体上表面的距离为所述靶材本体厚度的1/7－1/4。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第四种可能的实施方式，其中，上述弧面凹槽底面距所述靶材本体上表面3－6mm。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第五种可能的实施方式，其中，上述靶材本体底部设置有用于将所述靶材本体安装到生产设备上的安装部。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第六种可能的实施方式，其中，上述靶材还包括背板，所述靶材本体固设在所述背板上，所述背板底部设置有所述安装部。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第七种可能的实施方式，其中，上述靶材本体包括第一靶材和第二靶材，所述第一靶材和所述第二靶材均固设在所述背板上，且所述第一靶材和所述第二靶材拼接形成一体。

结合第一方面，本发明实施例提供了第一方面的第八种可能的实施方式，其中，上述第一靶材一侧设置有滑槽，所述第二靶材一侧设置有与所述滑槽滑接的滑块。

本发明的第二目的在于提供一种靶材处理方法，以缓解现有技术中靶材无法解决溅射时薄膜方块电阻的薄膜均匀性问题的技术问题。

第二方面，本发明实施例提供了一种靶材处理方法，包括以下步骤：

获取靶材本体上的磁场强度；

在磁场强度大的地方根据磁场强度的情况增加靶材的厚度；

靶材本体的工作面向中心凹陷形成弧面凹槽。

有益效果：

本发明实施例提供了一种靶材，用于溅射在基板上形成各种功能薄膜，包括靶材本体，根据靶材溅射时磁场的强弱，在靶材本体上表面向其中心凹陷形成弧面凹槽，以使靶材溅射时靶材原子均匀溅射在基板上，即溅射时靶材原子能够充分向中心聚集，然后靶材原子均匀射向基板，不会因为靶材本体磁场强的地方快速溅射，直接射向基板，使基板上形成的功能膜厚度薄厚不均，可有效提高薄膜方块电阻的薄膜均匀性。

本发明实施例提供了一种靶材处理方法，包括以下步骤：获取靶材本体上的磁场强度；在磁场强度大的地方根据磁场的情况增加靶材的厚度；靶材本体的工作面向中心凹陷形成弧面凹槽；其中，根据磁场强度的大小设置靶材的厚度，在磁场强度强的地方，也就是溅射速度快的地方按照磁场的强弱增加靶材的厚度，使磁场强度不同的地方处于相对稳定的消耗，避免溅射速度快的地方已经击穿，而溅射速度慢的地方还剩余下非常多的材料，因此能够最大程度的提高靶材的使用率，靶材处理方法与现有技术相比还具有上述的优势，此处不再赘述。

附图说明

为了更清楚地说明本发明具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。