[发明专利]一种硅片晶圆半自动切割工艺在审
申请号: | 201711180324.8 | 申请日: | 2017-11-23 |
公开(公告)号: | CN107887268A | 公开(公告)日: | 2018-04-06 |
发明(设计)人: | 葛建秋;张彦;陈玲 | 申请(专利权)人: | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/67 |
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地址: | 214400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 半自动 切割 工艺 | ||
技术领域
本发明涉及芯片划片行业,具体涉及一种硅片晶圆半自动切割工艺。
背景技术
随着科技发展,电子产业突飞猛进,各种集成、控制电路需求急剧增长,对芯片封装的需求也增长迅猛。
芯片封装是指,将精密的半导体集成电路芯片安装到框架上,然后利用引线将芯片与框架引脚相连接,最后用环氧树脂将半导体集成电路芯片固封起来,外界通过引脚与内部的芯片进行信号传输。封装主要是对精密的半导体集成电路芯片进行固封,使半导体集成电路芯片在发挥作用的同时,不受外界湿度、灰尘的影响,同时提供良好的抗机械振动或冲击保护,提高半导体集成电路芯片的适用性。同时封装在金属框架上,增加了散热面积,提高了芯片的运行可靠性。
硅片在进行切割过程中,需要确保切割的精度和切刀走刀的准确性。
现需要一种硅片晶圆半自动切割工艺,以期可以解决上述技术问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种硅片晶圆半自动切割工艺,以弥补现有测量过程中的不足。
为了达到上述目的,本发明提供了一种硅片晶圆半自动切割工艺,步骤如下:
(1)从主菜单下,按F2键,工作盘自动的移到显微镜下,此时半自动切割界面出现;
(2)按F4键,单一街区校准界面出现;
(3)完成上述调整后,在执行切割前,应通过选择F5(向后切)和F10(向前切)来选择切割方向;
(4)按“C/T VAC” 键,再按“C/T VAC”键,工作盘自动的向右移动且显微镜移到后面,然后真空关闭。此时可取下工件。
优选地,在步骤(1)中,通过调整显示器右边的光线调节旋钮和显微镜右侧的焦距调节旋钮,使得工件在屏幕上清晰的显示。
优选地,在步骤(2)中,CH1的θ校准和切割区与基准线校准及步进效验方法同自动切割相同。
优选地,在步骤(3)中,确认切割方向后,按“START”键,此时半自动切割开始,机器上面的信号塔的绿灯亮起,主轴自动旋转到设置的转速,切割水自动打开。直到CH1切割完毕,切割的起始点,可以自选。
本发明的一种硅片晶圆半自动切割工艺,切割过程确保走刀位置的准确性,和切割的精度,操作简单,切割速度快。
具体实施方式
本发明的目的是提供一种硅片晶圆半自动切割工艺,以弥补现有测量过程中的不足。
为了达到上述目的,本发明提供了一种硅片晶圆半自动切割工艺,步骤如下:
(1)从主菜单下,按F2键,工作盘自动的移到显微镜下,此时半自动切割界面出现;
(2)按F4键,单一街区校准界面出现;
(3)完成上述调整后,在执行切割前,应通过选择F5(向后切)和F10(向前切)来选择切割方向;
(4)按“C/T VAC” 键,再按“C/T VAC”键,工作盘自动的向右移动且显微镜移到后面,然后真空关闭。此时可取下工件。
其中,在步骤(1)中,通过调整显示器右边的光线调节旋钮和显微镜右侧的焦距调节旋钮,使得工件在屏幕上清晰的显示。
其中,在步骤(2)中,CH1的θ校准和切割区与基准线校准及步进效验方法同自动切割相同。
其中,在步骤(3)中,确认切割方向后,按“START”键,此时半自动切割开始,机器上面的信号塔的绿灯亮起,主轴自动旋转到设置的转速,切割水自动打开。直到CH1切割完毕,切割的起始点,可以自选。
本发明的一种硅片晶圆半自动切割工艺,切割过程确保走刀位置的准确性,和切割的精度,操作简单,切割速度快。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征及优点。本行业的技术人员应该了解,本发明不受上述实施例的限制,上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理,在不脱离本发明精神和范围的前提下,本发明还会有各种变化和改进,这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造