[发明专利]一种硅片晶圆半自动切割工艺在审
| 申请号： | 201711180324.8 | 申请日： | 2017-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107887268A | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 葛建秋;张彦;陈玲 | 申请（专利权）人： | 江阴苏阳电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 214400 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 半自动 切割 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片晶圆半自动切割工艺，其特征在于，包括如下步骤：
（1）从主菜单下，按F2键，工作盘自动的移到显微镜下，此时半自动切割界面出现；
（2）按F4键，单一街区校准界面出现；
（3）完成上述调整后，在执行切割前，应通过选择F5（向后切）和F10（向前切）来选择切割方向；
（4）按“C/T VAC” 键，再按“C/T VAC”键，工作盘自动的向右移动且显微镜移到后面，然后真空关闭。此时可取下工件。
2.根据权利1所述的一种硅片晶圆半自动切割工艺，其特征在于，在步骤（1）中，通过调整显示器右边的光线调节旋钮和显微镜右侧的焦距调节旋钮，使得工件在屏幕上清晰的显示。
3.根据权利1所述的一种硅片晶圆半自动切割工艺，其特征在于，在步骤（2）中，CH1的θ校准和切割区与基准线校准及步进效验方法同自动切割相同。
4.根据权利1所述的一种硅片晶圆半自动切割工艺，其特征在于，在步骤（3）中，确认切割方向后，按“START”键，此时半自动切割开始，机器上面的信号塔的绿灯亮起，主轴自动旋转到设置的转速，切割水自动打开。直到CH1切割完毕，切割的起始点，可以自选。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
