[发明专利]VA型薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种VA型薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。本发明的VA型薄膜晶体管阵列基板的制作方法包括：在同一个像素中形成三个像素电极，该三个像素电极接同一薄膜晶体管但位于不同的结构层上，因此驱动液晶的能力不同，本发明通过三个像素电极来调整一个像素内三个区域的液晶穿透率，有利于实现从不同角度观看该像素时像素亮度保持均一性，从而提升VA型液晶显示器的视角。本发明的VA型薄膜晶体管阵列基板在同一个像素中设置三个像素电极，有利于提升VA型液晶显示器的视角。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种VA型薄膜晶体管阵列基板及其制作方法。

背景技术

随着显示技术的发展，液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面显示装置因具有高画质、省电、机身薄及应用范围广等优点，而被广泛的应用于手机、电视、个人数字助理、数字相机、笔记本电脑、台式计算机等各种消费性电子产品，成为显示装置中的主流。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶显示面板及背光模组(Backlight Module)。通常液晶显示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)基板、夹于彩膜基板与薄膜晶体管基板之间的液晶(LC，Liquid Crystal)及密封胶框(Sealant)组成。

目前主流市场上的薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)可分为三大类，分别是扭曲向列/超扭曲向列(TN/STN)型、平面转换(IPS)型、垂直配向(VA)型。其中，VA型液晶显示器相对其它种类的液晶显示器具有极高的对比度，一般可达到4000-8000，在大尺寸显示如电视等方面具有非常广的应用。但是VA型液晶显示器的可视角度较小，从不同方向观看显示屏时，有些区域的亮度增大，有些区域的亮度减小，导致画面失真，从而阻碍了VA型液晶显示器的发展和应用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种VA型薄膜晶体管阵列基板的制作方法，有利于提升VA型液晶显示器的视角。

本发明的目的还在于提供一种VA型薄膜晶体管阵列基板，有利于提升VA型液晶显示器的视角。

为实现上述目的，本发明提供一种VA型薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括如下步骤：

S1、提供衬底基板，采用第一道光罩工艺在所述衬底基板上形成栅极、扫描线、第一像素电极；其中，所述扫描线与栅极相连；

S2、在所述栅极、扫描线、第一像素电极、衬底基板上沉积栅极绝缘层，在所述栅极绝缘层上沉积半导体层，采用第二道光罩工艺对所述半导体层进行图形化处理，得到对应于所述栅极上方的有源层；

S3、采用第三道光罩工艺在所述有源层与栅极绝缘层上形成漏极、源极、数据线、第二像素电极；其中，所述漏极和源极分别与所述有源层相接触，所述数据线与所述源极相连，所述漏极与所述第二像素电极相连；

S4、在所述漏极、源极、数据线、第二像素电极、有源层及栅极绝缘层上形成钝化层，采用第四道光罩工艺对所述钝化层与栅极绝缘层进行图形化处理，得到位于所述钝化层上的第一通孔与第二通孔以及位于所述钝化层与栅极绝缘层上的第三通孔，其中，所述第一通孔与第二通孔对应于所述漏极上方设置，所述第三通孔对应于所述第一像素电极上方设置；

S5、在所述钝化层上沉积第三透明导电层，采用第五道光罩工艺对所述第三透明导电层进行图形化处理，得到第三像素电极与导电连接层；其中，所述第三像素电极通过所述第一通孔与所述漏极相连；所述导电连接层经由所述第二通孔与所述漏极相连，同时经由所述第三通孔与所述第一像素电极相连，从而将所述漏极与所述第一像素电极连接在一起。

所述步骤S1具体包括：