[发明专利]显示面板母板的切割方法、显示面板、显示装置

权利要求书

1.一种显示面板母板的切割方法，其特征在于，所述显示面板母板包括多个显示面板，且每个所述显示面板边缘区域设置有切割线；该切割方法包括：

在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层，所述缓冲层和所述层间绝缘层都覆盖所述显示面板的边缘区域；

去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案，并暴露出部分所述缓冲层；

对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理；

沿所述切割线进行切割。

2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，所述去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案，包括：

去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成多个支撑壁，该多个支撑壁沿着从所述显示面板边缘到所述显示面板内部的方向间隔排列。

3.根据权利要求2所述的切割方法，其特征在于，在所述对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理之后，且在所述沿所述切割线进行切割之前，还包括：

进行退火处理。

4.根据权利要求2所述的切割方法，其特征在于，所述去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成多个支撑壁，包括：

在所述层间绝缘层上涂覆光刻胶，通过曝光、显影，去除需要进行离子注入位置处的光刻胶，暴露出所述需要进行离子注入位置处的层间绝缘层；

对暴露出的所述层间绝缘层进行刻蚀，形成多个间隔排列的支撑壁。

5.根据权利要求2所述的切割方法，其特征在于，所述在基板上依次制作缓冲层、层间绝缘层之前，还包括：

在所述基板上制作阻挡层。

6.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，在所述去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案之后，且在所述对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理之前，还包括：

对暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层进行离子注入处理。

7.根据权利要求6所述的切割方法，其特征在于，所述离子注入处理包括：

获取离子参数，所述离子参数为根据暴露出的所述缓冲层，以及暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层的材料和厚度得到的参数；

根据所述离子参数进行离子注入。

8.根据权利要求7所述的切割方法，其特征在于，所述对暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层进行离子注入处理，包括：

将硼离子或磷离子注入到暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层中。

9.根据权利要求1-8任一项所述的切割方法，其特征在于，所述对暴露出的所述缓冲层进行离子注入处理，包括：

将硼离子或磷离子注入到暴露出的所述缓冲层中。

10.根据权利要求6所述的切割方法，其特征在于，在所述去除所述边缘区域位置处的部分所述层间绝缘层，形成第一图案之后，且在所述对暴露出的所述缓冲层下方位置处的所述阻挡层进行离子注入处理之前，还包括：

采用光刻胶遮挡所述层间绝缘层和所述支撑壁。

11.根据权利要求5所述的切割方法，其特征在于，所述阻挡层的材料与所述缓冲层的材料相同；或

所述层间绝缘层的材料与所述缓冲层的材料相同。

12.根据权利要求11所述的切割方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化硅、氮化硅中的任意之一或组合。

13.一种显示面板，包括显示区域和所述显示区域周围的边缘区域，在所述边缘区域设置有切割线，其特征在于，所述边缘区域包括依次位于基板上的缓冲层、和具有第一图案的层间绝缘层；

且在所述第一图案的层间绝缘层覆盖范围之外、暴露出的所述缓冲层包含注入的离子。