[发明专利]一种硅片批量清洗干燥方法及装置

说明书

本发明提供一种硅片批量清洗干燥方法及装置，所述硅片批量清洗干燥方法至少包括：首先提供盛装有纯水的清洗槽，利用承载台将多片硅片直立浸没于所述纯水中；然后利用所述承载台向上运动提拉所述硅片，同时利用抽水装置排水，使所述纯水的液面下降；最后当所述纯水的液面下降到一定位置，利用机械手夹取所述硅片进行提拉干燥。本发明采用承载台向上提拉和纯水液位下降同步进行的方式，使机械手夹取硅片的位置下降，这样可以缩短整个提拉过程的时间；另外，每次清洗时利用外循环中过滤装置过滤纯水，清洗槽内纯水中颗粒残留少，明显提升清洗效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种硅片批量清洗干燥方法及装置。

背景技术

半导体器件生产中的硅片须经严格清洗。微量污染也会导致器件失效，清洗的目的在于清除表面污染杂质，清洗方法包括物理清洗和化学清洗。这些表面杂质有的以原子状态或离子状态，有的以薄膜形式或颗粒形式存在于硅片表面，需要彻底被清除，以保证半导体器件的生产质量和良率。

硅片表面清洗工作作为整个生产过程的关键步骤，若清洗过程有瑕疵，特备是对于具有微小结构的半导体元件制程，微粒若附着于硅片上，将对整体制程及硅片质量有极大的影响，而干燥处理，更是决定了清洗制程的质量。

现有的清洗机内硅片的干燥方法如下：

1)如图1所示，利用清洗槽1内的承载台3将硅片7浸没于纯水2中并从纯水2中提拉上升；

2)如图2所示，当所述承载台3到达上限位置后，利用机械手5夹取硅片7继续提拉上升，此过程中机械手5不接触液面。

在现有的这种硅片清洗干燥方式中，存在如下问题：

1、在提拉干燥的过程中，完全是利用纯水2与硅片7接触面的张力进行干燥，提拉速度慢，干燥时间长，整个过程大约需要8～12分钟；

2、由于槽内的纯水2中有一定的颗粒残留，一部分是清洗硅片7过程中产生的，一部分是之前清洗时残留在清洗槽1内的(即使纯水2一直从清洗槽1上部溢流，也无法将颗粒彻底清除)，对清洗的效果有一定影响。

因此，提供一种新的硅片批量清洗干燥装置是本领域技术人员需要解决的课题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种硅片批量清洗干燥方法及装置，用于解决现有技术中硅片清洗干燥方法，提拉速度慢、干燥时间长且清洗效果不好的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种硅片批量清洗干燥方法，所述硅片批量清洗干燥方法至少包括：

1)提供盛装有纯水的清洗槽，利用承载台将多片硅片直立浸没于所述纯水中；

2)将所述承载台向上运动，以提拉所述硅片，同时利用抽水装置排水，使所述纯水的液面下降；

3)当所述纯水的液面下降到一定位置，利用机械手夹取所述硅片进行提拉干燥。

作为本发明硅片批量清洗干燥方法的一种优化的方案，利用过滤装置对所述步骤2)中抽水装置所排出的所述纯水进行过滤，以过滤出所述纯水中的杂质，过滤后的所述纯水再次注入所述清洗槽中循环利用。

作为本发明硅片批量清洗干燥方法的一种优化的方案，所述步骤2)中，所述承载台向上运动的速度范围为0.5～1mm/s。

作为本发明硅片批量清洗干燥方法的一种优化的方案，所述步骤3)中，利用所述机械手进行提拉干燥的速度范围为0.5～2mm/s。

作为本发明硅片批量清洗干燥方法的一种优化的方案，所述步骤3)中，当所述纯水的液面下降到将所述硅片暴露出时，利用机械手夹取所述硅片进行提拉干燥。