[发明专利]一种硅片批量清洗干燥方法及装置在审
| 申请号： | 201711173913.3 | 申请日： | 2017-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN109817511A | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 徐亚志 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 提拉 清洗干燥 承载台 机械手夹 液面下降 清洗槽 水中 抽水装置 过滤装置 颗粒残留 清洗效果 向上运动 液位下降 外循环 浸没 直立 多片 过滤 清洗 盛装 排水 | ||
1.一种硅片批量清洗干燥方法，其特征在于，所述硅片批量清洗干燥方法至少包括：
1)提供盛装有纯水的清洗槽，利用承载台将多片硅片直立浸没于所述纯水中；
2)将所述承载台向上运动，以提拉所述硅片，同时利用抽水装置排水，使所述纯水的液面下降；
3)当所述纯水的液面下降到一定位置，利用机械手夹取所述硅片进行提拉干燥。
2.根据权利要求1所述的硅片批量清洗干燥方法，其特征在于：利用过滤装置对所述步骤2)中抽水装置所排出的所述纯水进行过滤，以过滤出所述纯水中的杂质，过滤后的所述纯水再次注入所述清洗槽中循环利用。
3.根据权利要求1所述的硅片批量清洗干燥方法，其特征在于：所述步骤2)中，所述承载台向上运动的速度范围为0.5～1mm/s。
4.根据权利要求1所述的硅片批量清洗干燥方法，其特征在于：所述步骤3)中，利用所述机械手进行提拉干燥的速度范围为0.5～2mm/s。
5.根据权利要求1所述的硅片批量清洗干燥方法，其特征在于：所述步骤3)中，当所述纯水的液面下降到将所述硅片暴露时，利用机械手夹取所述硅片进行提拉干燥。
6.根据权利要求1所述的硅片批量清洗干燥方法，其特征在于：所述纯水的温度范围为23℃～25℃。
7.一种硅片批量清洗干燥装置，其特征在于，所述硅片批量清洗干燥装置至少包括：装有纯水的清洗槽、承载台、抽水装置以及机械手；
所述承载台用于将所述硅片直立浸没于所述纯水中并向上运动提拉所述硅片；
所述抽水装置与所述清洗槽连通，用于将所述纯水排出，使所述纯水液面下降；
所述机械手用于当所述纯水的液面下降到一定位置时夹取所述硅片进行提拉干燥。
8.根据权利要求7所述的硅片批量清洗干燥装置，其特征在于：所述硅片批量清洗干燥装置还包括过滤装置，所述过滤装置一端与所述抽水装置相连、另一端与所述清洗槽相连。
9.根据权利要求7所述的硅片批量清洗干燥装置，其特征在于：所述抽水装置与所述清洗槽的底部连通。
10.根据权利要求7所述的硅片批量清洗干燥装置，其特征在于：所述机械手用于当所述纯水的液面下降到将所述硅片暴露时夹取所述硅片进行提拉干燥。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
