[发明专利]集成电路的制造方法

权利要求书

1.一种集成电路的制造方法，包括：

提供一基底，具有一顶面和从该顶面凹陷的一沟槽；

将一敏感材料层涂布于该基底的该顶面上，其中该敏感材料填入该沟槽；

对该敏感材料层执行一活化处理，该活化处理包含：

于该沟槽中交联该敏感材料层的一第一部份，从而形成一交联的第一部份；以及

交联设置于该沟槽上的该敏感材料层的一第二部份，从而形成一交联的第二部份，其中该敏感材料层的一第三部份设置在该第二部份上，并保持未交联；以及

对该敏感材料层执行一湿式化学工艺，该湿式化学工艺去除该敏感材料层的该第三部份,从而暴露该交联的第二部份。

2.如权利要求1所述的方法，于该涂布敏感材料层之前，还包含：

对该基底的该顶面和该沟槽执行一酸处理，以及

对该基底的该顶面和该沟槽执行一第一清洗工艺，藉此在该基底和该沟槽上产生一酸层，其中该酸层顺应于该基底的该顶面和该沟槽。

3.如权利要求2所述的方法，其中该涂布敏感材料层包含直接将一酸敏感材料层涂布于该酸层上。

4.如权利要求3所述的方法，其中：

该酸敏感材料层包含一高分子材料；以及

该活化处理的执行包含通过酸引发该高分子材料的交联反应的一处理。

5.如权利要求4所述的方法,其中该活化处理包含一热烘烤工艺。

6.如权利要求4所述的方法,其中该活化处理包含一电磁辐射处理。

7.如权利要求2所述的方法,其中该湿式化学工艺为一第二清洗工艺，其中该第一清洗工艺和该第二清洗工艺中的至少一个使用一化学溶液，该化学溶液选自二甲基亚砜、四氢呋喃、丙二醇单甲醚、丙二醇甲醚醋酸酯、乙醇、丙醇、丁醇、甲醇、乙二醇、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、正丁酯、异丙醇以及前述的混合物。

8.如权利要求2所述的方法,其中该敏感材料层包含具有酸不安定基键结于其上的一高分子材料和一交联剂。

9.如权利要求8所述的方法,其中该高分子材料包含聚羟苯乙烯和聚乙烯醇中的一个。

10.如权利要求8所述的方法,其中该交联剂包含四羟甲基甘脲和环氧化物中的一个。

11.一种集成电路的制造方法，包括：

提供具有一凹陷沟槽的一基底；

形成顺应于该基底的一酸层；

将一酸敏感材料层涂布于该基底的一顶面上，其中该酸敏感材料层直接接触该酸层；

对该酸敏感材料层执行一处理，交联在该沟槽中靠近该酸层的部份该酸敏感材料层，从而在该沟槽中形成一交联材料层，而设置在该沟槽外其他部份该酸敏感材料层保持未交联；以及

对该酸敏感材料层执行一清洗工艺，使得该酸敏感材料层中未改变的部分被移除。

12.如权利要求11所述的方法，其中，

该酸敏感材料层包含具有一酸不安定基键结于其上的一高分子材料和一交联剂；以及

执行该处理包含通过酸引发该高分子材料的交联反应的一处理。

13.如权利要求12所述的方法，其中，

该高分子材料包含聚羟苯乙烯和聚乙烯醇中的一个；以及

该交联剂包含四羟甲基甘脲和环氧化物中的一个。

14.如权利要求11所述的方法，其中该处理包含烘烤温度范围在80℃和350℃之间的一热烘烤工艺。

15.如权利要求11所述的方法，其中该处理包含一电磁辐射处理，该电磁辐射处理使用的一电磁辐射选自无线电波、微波、红外光和可见光。