[发明专利]阵列基板以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示器技术领域,尤其涉及一种阵列基板，还涉及包含所述阵列基板的显示装置。

背景技术

平板显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示装置主要包括液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示装置(Organic Light Emitting Display，OLED)。

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)阵列基板是平板显示装置的重要组成部分，其具有如下特征：在由相互交叉的多条数据线和多条扫描线所围成的区域内排列有矩阵状的多个像素，像素具有进行显示操作的液晶电容器和薄膜晶体管，薄膜晶体管通过响应栅极电压而导通，以将数据信号加载到像素上。

在阵列基板的制作过程中，由于制作设备难免会与阵列基板相接触，一些静电将不可避免地产生并积累在阵列基板上。当静电积累到一定程度，在金属图形的尖端等静电比较容易积聚的部位引发静电放电(Electro-Static discharge，ESD)的现象，发生在金属导线部分容易导致传输导线的短路或断路，发生在显示区域容易导致薄膜晶体管击穿而失去原有的开关功能，影响产品的生产良率。

为了有效地将阵列基板中积累的静电进行释放，现有技术中，会在阵列基板的外围设计接地线，从而将静电对地放电，通常是将信号传输线(例如数据线和扫描线)通过静电释放元件连接到接地线。进一步地，为了避免在静电放电时产生的大电流对信号传输线的损坏，通常还需要在信号传输线上串联限流元件，例如限流电阻。对于所述限流电阻的设置，现有技术中通常是通过图案化阵列基板上的半导体层或栅极金属层或其他金属膜层形成。在使用半导体层图案化形成的限流电阻时，其阻止较大，可以起到良好的限流作用，但是半导体层通常散热性能较差，极易导致所述限流电阻烧毁。在使用栅极金属层或其他金属膜层图案化形成的限流电阻时，其具有较好的散热性能，但是由于金属电阻较小而起不到防护大电流的作用。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种阵列基板，其可以有效地避免在静电放电时产生的大电流对信号传输线等器件造成损坏。

为了实现上述的目的，本发明采用了如下的技术方案：

一种阵列基板，包括外围电路区，所述外围电路区包括依次形成于衬底基板上的第一金属层、第一绝缘层和第二金属层，所述驱动电路区中设置有信号传输线，其中，所述信号传输线上串联有限流单元，所述限流单元包括形成于所述第一金属层中的相互间隔排列的M条第一金属线以及形成于所述第二金属层中的相互间隔排列的N条第二金属线，所述M条第一金属线和所述N条第二金属线通过设置在所述第一绝缘层中的过孔相互交替地依次串接；其中，M和N分别为大于1的整数。

其中，所述第一金属线的长度为5～10μm，所述第二金属线的长度为5～10μm。

其中，相邻两条所述第一金属线的间距为2～5μm，相邻两条所述第二金属线的长度为2～5μm。

其中，所述第一金属线的数量M为：10≤M≤20，所述第二金属线的数量N为：10≤N≤20。

其中，所述第一金属线的数量M和所述第二金属线的数量N相等，或者是，所述第一金属线的数量M与所述第二金属线的数量N相差1。

其中，所述信号传输线连接有静电释放单元，所述静电释放单元包括N型薄膜晶体管和P型薄膜晶体管，所述N型薄膜晶体管的源极和所述P型薄膜晶体管的源极分别连接到所述信号传输线上的第一连接点，所述N型薄膜晶体管的栅极和漏极相互连接并连接到第一放电连接线，所述P型薄膜晶体管的栅极和漏极相互连接并连接到第二放电连接线。

其中，所述信号传输线上、位于所述第一连接点的两侧分别串联有一个所述限流单元。

其中，所述阵列基板包括显示区，所述显示区中设置有阵列排布的像素单元，所述信号传输线延伸至所述显示区中，用于向所述像素单元输入显示信号；所述信号传输线包括数据线和扫描线。

其中，所述信号传输线设置于所述第一金属层中，或者是，所述信号传输线设置于所述第二金属层中。

本发明还提供了一种显示装置，包括如上所述的阵列基板。