[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201711165973.0 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN107968110B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 王明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
本发明提供一种显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法,该显示基板包括基板和多个像素结构,每个像素结构包括朝向远离基板的方向依次设置的薄膜晶体管、平坦层、阳极层、发光层和阴极层,其中,相临设置的阳极层、发光层和阴极层构成有机发光二极管,在平坦层远离基板的一侧设置有凹部,且在凹部中设置有遮光结构,用于阻挡由有机发光二极管发出的至少部分光线照射至薄膜晶体管。本发明提供的显示基板,其可以减少甚至避免有机发光二极管对薄膜晶体管的光照,从而可以改善薄膜晶体管的负漂,避免薄膜晶体管失效。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,具体地,涉及一种显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode,以下简称OLED)显示技术因具有可视度高、亮度高、电压需求低、省电效率高、反应快、重量轻、厚度薄等优点,被广泛地应用于手机、数码摄像机、笔记本电脑、汽车音响和电视等。
现有的OLED显示装置通常采用氧化物半导体薄膜晶体管(Oxide SemiconductorTFT)用作开关晶体管,但是,由于氧化物半导体薄膜晶体管容易受到光照的影响,因此,在开关晶体管长期处于负压和来自发光二极管的照射的情况下,容易导致薄膜晶体管的阈值电压(Vth)负漂严重,严重时会导致薄膜晶体管失效。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法,其可以减少甚至避免发光二极管对薄膜晶体管的光照,从而可以改善薄膜晶体管的负漂,避免薄膜晶体管失效。
为实现本发明的目的而提供一种显示基板,包括基板和多个像素结构,每个像素结构包括朝向远离所述基板的方向依次设置的薄膜晶体管、平坦层、阳极层、发光层和阴极层,其中,相临设置的阳极层、发光层和阴极层构成有机发光二极管,在所述平坦层远离所述基板的一侧设置有凹部,且在所述凹部中设置有遮光结构,用于阻挡由所述有机发光二极管发出的至少部分光线照射至所述薄膜晶体管。
优选的,所述发光层覆盖所述凹部的表面;所述阴极层覆盖所述发光层远离所述基板一侧的整个表面;
所述遮光结构为所述阴极层对应所述凹部表面上的部分。
优选的,所述遮光结构包括遮光材料,所述遮光材料填充在所述凹部中。
优选的,所述遮光材料自所述凹部暴露的表面与所述平坦层远离所述基板一侧的表面平齐;
所述阳极层覆盖所述平坦层远离所述基板一侧的表面和所述遮光材料自所述凹部暴露的表面;所述发光层设置在所述阳极层上;所述阴极层设置在所述发光层上。
优选的,对于相邻的两个所述像素结构,每个所述像素结构中的所述凹部为两个;
其中一个所述凹部中的遮光结构用于遮挡其所在的像素结构中的所述薄膜晶体管;其中另一个所述凹部中的遮光结构用于遮挡与其所在的像素结构相邻的所述像素结构中的所述薄膜晶体管。
优选的,所述薄膜晶体管为开关晶体管,且所述开关晶体管的有源层采用铟镓锌氧化物材料制作。
作为另一个技术方案,本发明还提供一种显示基板的制作方法,其包括:
提供一基板;
在所述基板上形成薄膜晶体管;
在形成有所述薄膜晶体管的所述基板上形成平坦层;
在所述平坦层远离所述基板的一侧形成凹部;
在所述凹部中形成遮光结构;
在形成有所述平坦层的所述基板上形成阳极层;
在形成有所述阳极层的所述基板上形成发光层;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711165973.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的