[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置及其制作方法有效
申请号: | 201711165973.0 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN107968110B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 王明 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,包括基板和多个像素结构,每个像素结构包括朝向远离所述基板的方向依次设置的薄膜晶体管、平坦层、阳极层、发光层和阴极层,其中,相临设置的阳极层、发光层和阴极层构成有机发光二极管,其特征在于,在所述平坦层远离所述基板的一侧设置有凹部,且在所述凹部中设置有遮光结构,用于阻挡由所述有机发光二极管发出的至少部分光线照射至所述薄膜晶体管;
所述发光层覆盖所述凹部的表面,所述阴极层覆盖所述发光层远离所述基板一侧的整个表面,所述遮光结构为所述阴极层对应所述凹部表面上的部分;
或者,所述遮光结构包括遮光材料,所述遮光材料填充在所述凹部中,所述遮光材料自所述凹部暴露的表面与所述平坦层远离所述基板一侧的表面平齐,所述阳极层覆盖所述平坦层远离所述基板一侧的表面和所述遮光材料自所述凹部暴露的表面,所述发光层设置在所述阳极层上,所述阴极层设置在所述发光层上。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,对于相邻的两个所述像素结构,每个所述像素结构中的所述凹部为两个;
其中一个所述凹部中的遮光结构用于遮挡其所在的像素结构中的所述薄膜晶体管;其中另一个所述凹部中的遮光结构用于遮挡与其所在的像素结构相邻的所述像素结构中的所述薄膜晶体管。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述薄膜晶体管为开关晶体管,且所述开关晶体管的有源层采用铟镓锌氧化物材料制作。
4.一种显示基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板;
在所述基板上形成薄膜晶体管;
在形成有所述薄膜晶体管的所述基板上形成平坦层;
在所述平坦层远离所述基板的一侧形成凹部;
在所述凹部中形成遮光结构;
在形成有所述平坦层的所述基板上形成阳极层;
在形成有所述阳极层的所述基板上形成发光层;
在形成有所述发光层的所述基板上形成阴极层;
其中,相临设置的阳极层、发光层和阴极层构成有机发光二极管;所述遮光结构用于阻挡由所述有机发光二极管发出的至少部分光线照射至所述薄膜晶体管;
所述发光层覆盖所述凹部的表面,所述阴极层覆盖所述发光层远离所述基板一侧的整个表面,所述遮光结构为所述阴极层对应所述凹部表面上的部分;
或者,所述遮光结构包括遮光材料,所述遮光材料填充在所述凹部中,所述遮光材料自所述凹部暴露的表面与所述平坦层远离所述基板一侧的表面平齐,所述阳极层覆盖所述平坦层远离所述基板一侧的表面和所述遮光材料自所述凹部暴露的表面,所述发光层设置在所述阳极层上,所述阴极层设置在所述发光层上。
5.根据权利要求4所述的显示基板的制作方法,其特征在于,所述在形成有所述薄膜晶体管的所述基板上形成平坦层,具体包括:
在形成有所述薄膜晶体管的所述基板上形成整层膜层;
采用半色调掩膜版对所述整层膜层进行掩膜工艺,形成所述平坦层的图形;
采用半色调掩膜版对所述平坦层进行掩膜工艺,形成所述遮光结构。
6.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-3任意一项所述的显示基板。
7.一种显示装置的制作方法,其特征在于,包括权利要求4-5任意一项所述的显示基板的制作方法。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的