[发明专利]酸槽制程干燥能力的验证方法及验证装置

说明书

本发明公开了一种酸槽制程干燥能力的验证方法，其特征在于：提供经过湿法刻蚀的晶圆；向晶圆通入用于干法刻蚀的气体；使气体与晶圆中的残留水发生反应，以在晶圆表面聚积为稠密缺陷；统计稠密缺陷的量；基于稠密缺陷的量，判断残留水的量；以及以及基于残留水的量，判断酸槽制程干燥能力。通过该方法可以容易的测定出晶圆干燥之后的残留水的量。

技术领域

本发明涉及一种干燥能力的验证方法及验证装置，特别涉及一种酸槽制程干燥能力的验证方法及验证装置。

背景技术

在湿法刻蚀过程中，干燥是最后一步，也是必不可少的一步。随着技术节点的提高，刻蚀孔的深宽比越来越大，由于刻蚀孔深度提高，刻蚀孔底部的水难以被完全干燥，所以对湿法刻蚀的干燥能力也提出了挑战。现有技术中，没有比较好的方式去监测机台干燥的好坏。现有技术中的常规方法包括：直接检查水痕的方式，但是这种方法只能用于干燥很不好的情况。而且也只能看到晶圆表面问题，对于深的刻蚀孔或深孔里是否有水气，完全没有办法监测。即便使用TEM，也很难找到深孔中水气的印迹。

公开于该背景技术部分的信息仅仅旨在增加对本发明的总体背景的理解，而不应当被视为承认或以任何形式暗示该信息构成已为本领域一般技术人员所公知的现有技术。

发明内容

本发明的目的在于提供一种酸槽制程干燥能力的验证方法及验证装置，从而克服现有技术的缺点。

为实现上述目的，本发明提供了一种酸槽制程干燥能力的验证方法，其特征在于：提供经过湿法刻蚀的晶圆；向晶圆通入用于干法刻蚀的气体；使气体与晶圆中的残留水发生反应，以在晶圆表面聚积为稠密缺陷；统计稠密缺陷的量；基于稠密缺陷的量，判断残留水的量；以及以及基于残留水的量，判断酸槽制程干燥能力。

优选地，上述技术方案中，在基于稠密缺陷的量，判断残留水的量之前，验证方法还包括：建立稠密缺陷的量与残留水的量之间的关系。

优选地，上述技术方案中，如果稠密缺陷的量较多，则判断残留水的量较多。

优选地，上述技术方案中，如果稠密缺陷的量较少，则判断残留水的量较少。

本发明还提供了一种酸槽制程干燥能力的验证装置，其特征在于：验证装置包括：供给模块，其用于提供经过湿法刻蚀的晶圆；通气模块，其用于向晶圆通入用于干法刻蚀的气体；反应模块，其用于使气体与晶圆中的残留水发生反应，以在晶圆表面聚积为稠密缺陷；统计模块，其用于统计稠密缺陷的量；残留水判断模块，其用于基于稠密缺陷的量，判断残留水的量；以及酸槽制程干燥能力判断模块，其用于基于残留水的量，判断酸槽制程干燥能力。

优选地，上述技术方案中，装置还包括确定模块，其用于建立稠密缺陷的量与残留水的量之间的关系。

优选地，上述技术方案中，如果稠密缺陷的量较多，则判断残留水的量较多。

优选地，上述技术方案中，如果稠密缺陷的量较少，则判断残留水的量较少。

与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：芝浦过程(Shibaura process)反应生成物容易和水起反应，并且由于机台做上述过程的时候，晶圆传送盒是打开的，所以生成物很容易在晶圆传送盒里面的晶圆表面聚积成稠密缺陷。随着掩膜的连续的过程，机台里面的生成物越来越多，从而使得晶圆传送盒环境也越来越差，晶圆表面的稠密缺陷也会越来越多并且越来越容易被监测到。再通过扫描晶圆传送盒里最上面晶圆的缺陷数量来表征晶圆表面的水气量。

附图说明

图1是湿法刻蚀之后完全干燥的晶片的示意图。

图2是湿法刻蚀之后不能完全干燥的晶片的示意图。

图3是根据本发明的实施例的晶圆传送盒的示意图。

图4a-4c是根据本发明的实施例的测试结果示意图。