[发明专利]酸槽制程干燥能力的验证方法及验证装置有效
| 申请号： | 201711165461.4 | 申请日： | 2017-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN107993962B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 李君;蒋杨波;吴关平;吴稼祺;郑晓芬 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 11619 北京辰权知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘广达<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 酸槽制程 干燥 能力 验证 方法 装置 | ||
1.一种酸槽制程干燥能力的验证方法，其特征在于：
提供经过湿法刻蚀的晶圆；
向所述晶圆通入用于干法刻蚀的气体；
使所述气体与所述晶圆中的残留水发生反应，以在所述晶圆表面聚积为稠密缺陷；
统计所述稠密缺陷的量；
基于所述稠密缺陷的量，判断所述残留水的量；以及
基于所述残留水的量，判断所述酸槽制程干燥能力。
2.如权利要求1所述的验证方法，其特征在于：在基于所述稠密缺陷的量，判断所述残留水的量之前，所述验证方法还包括：建立所述稠密缺陷的量与所述残留水的量之间的关系。
3.如权利要求1所述的验证方法，其特征在于：如果所述稠密缺陷的量较多，则判断所述残留水的量较多。
4.如权利要求1所述的验证方法，其特征在于：如果所述稠密缺陷的量较少，则判断所述残留水的量较少。
5.一种酸槽制程干燥能力的验证装置，其特征在于：所述验证装置包括：
供给模块，其用于提供经过湿法刻蚀的晶圆；
通气模块，其用于向所述晶圆通入用于干法刻蚀的气体；
反应模块，其用于使所述气体与所述晶圆中的残留水发生反应，以在所述晶圆表面聚积为稠密缺陷；
统计模块，其用于统计所述稠密缺陷的量；
残留水判断模块，其用于基于所述稠密缺陷的量，判断所述残留水的量；以及
酸槽制程干燥能力判断模块，其用于基于所述残留水的量，判断所述酸槽制程干燥能力。
6.如权利要求5所述的验证装置，其特征在于：所述装置还包括确定模块，其用于建立所述稠密缺陷的量与所述残留水的量之间的关系。
7.如权利要求5所述的验证装置，其特征在于：如果所述稠密缺陷的量较多，则判断所述残留水的量较多。
8.如权利要求5所述的验证装置，其特征在于：如果所述稠密缺陷的量较少，则判断所述残留水的量较少。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
