[发明专利]一种青瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种青瓷，采用矿物质原料和高分子材料制备胚料和釉料，其特征在于：所述胚料包括组分A、组分B及组分C,所述组分A包括按重量份数比计的白云石20-30份、高铝矾土10-20份；所述组分B包括按重量份数比计的菱镁石10-20份；所述组分C包括按重量份数计的环氧树脂3-5份、有机硅树脂3-5份；所述釉料包括按重量份数比计的硅灰石10-20份、白云母10-15份；所述组分A还包括按重量份数比计的高岭土100-120份、熟滑石10-20份；所述组分B还包括按重量份数比计的石英40-50份、方解石40-50份；所述釉料还包括按重量份数比计的高岭土60-80份、黏土20-30份、石英30-40份、釉灰20-30份；所述组分C还包括按重量份数计的长链脂肪酸酯5-8份、聚乙烯蜡8-12份、聚酰亚胺5-8份。

2.一种如权利要求1所述的青瓷的制备方法，其特征在于：包括如下步骤： S1：组分A、组分B及组分C的制备； S2：胚料的浆料制备； S3：胚体成型； S4：胚体素烧：所述素烧包括第一阶段、第二阶段及第三阶段；所述第二阶段温度区间为200°-600°，期间升温速度为1-2°/min，窑内气压保持在0.2-0.3MPa，升至600°时保温20-30分钟； S5：釉料的釉浆制备；S6：上釉； S7:釉烧：所述釉烧包括第一、第二、第三、第四及第五阶段，所述第三阶段温度区间为950°-1000°，期间升温速度0.5-1°/min，窑内气压为0.3-0.5MPa，升温至1000°时保温1.5-2个小时；所述S4中素烧第一阶段温度区间为常温-200°，升温速度为0.5-1°/min，升至200°时保温20-30分钟，期间保持向窑内通入干燥的氮气，烟囱开启最大抽力；第三阶段温度区间为600°-1000°，升温速度为2-3°/min；升至1000°后保温30-40分钟后自然冷却。

3.根据权利要求2所述的青瓷的制备方法，其特征在于：所述S2步骤中胚料的浆料制备包括将组分A、组分B及组分C按重量比10:5:1混合均匀，并加入适量的硅酸钠和水一起放入搅拌机中进行搅拌，从而得到胚料的浆料。

4.根据权利要求2所述的青瓷的制备方法，其特征在于：所述S6步骤中釉烧的第一阶段温度区间为常温-250°，升温速度为0.5-1°/min，升温过程中向窑中通入干燥的氮气并保持烟囱调至最大的抽力，升温至200°时保温1-1.5个小时；第二阶段温度区间为250°-950°，升温速度3-4°/min，升温至950°时保温1-1.5个小时；第四阶段温度区间为1000°-1200°，升温速度3-4°/min，升温至1200°时保温1-1.5个小时；第五阶段温度区间为1200°-1280°，升温速度0.5-1°/min，期间窑内气压控制在0.03-0.05MPa；升温至1280°时保温2-2.5小时后自然冷却及可得到成品。

5.根据权利要求3所述的青瓷的制备方法，其特征在于：所述搅拌机包括罐体(1)、设于所述罐体内的转轴(2)、用于驱动所述转轴转动的驱动电机(3)及设于所述转轴上的搅拌轮(4)，所述转轴上设有振动机构(5)。

6.根据权利要求5所述的青瓷的制备方法，其特征在于：所述振动机构包括搅拌轴(6)、设于所述搅拌轴上的活动腔(61)、一端活动穿设于所述活动腔内的振动轴(7)及用于驱动所述振动轴左右动作的驱动件(8)；所述搅拌轴通过限位结构对所述振动轴进行限位。

7.根据权利要求6所述的青瓷的制备方法，其特征在于：所述限位结构包括一端活动连接于所述活动腔内壁上的翻转杆(9)、设于所述翻转杆与活动腔内壁之间的复位件(10)、设于所述翻转杆上的卡部(91)及设于所述振动轴(7)上与该卡部相配合的卡槽(71)。

8.根据权利要求7所述的青瓷的制备方法，其特征在于：所述驱动件(8)包括气缸(81)、与气缸活塞杆(82)相连接的连接柱(83)及一端与所述连接柱连接的缓冲件(84)，所述缓冲件另一端与振动轴(7)连接；所述活动腔内壁上连接有按压杆(62)，所述按压杆一端与活动腔内壁活动连接，另一端与气缸活塞杆相配合，当气缸活塞杆向外伸出时，所述按压杆一侧与气缸活塞杆(82)相抵触，另一侧与所述翻转杆(9)相抵触。