[发明专利]一种金属氧化物及其制备方法、QLED器件

说明书

本发明公开了一种金属氧化物及其制备方法、QLED器件，所述金属氧化物的化学式为A_(1‑x)M_xBO₃；其中，A为金属元素Ca、Sr和Ba中的一种或多种，且B为金属元素Ti、Zr和Sn中一种或多种，M代表外层电子结构为(n‑1)d⁵ns²的金属元素，0x1。本发明解决了现有的钙钛矿型金属氧化物ABO₃应用到QLED的电子传输层中时，金属氧化物ABO₃与电极材料传输材料之间能级势垒过大，不利于载流子的传输的问题。

技术领域

本发明涉及金属氧化物技术领域，尤其涉及一种金属氧化物及其制备方法和应用、QLED器件。

背景技术

ABO₃为一种钙钛矿型材料，具有极其稳定的性能，被应用到光伏器件或者传感器中，其作为n型宽带隙半导体材料，带隙约为3.2 ev具有传输电子的特性，可以作为电子传输层被应用到QLED中。但是其导带能级约为-3.91 eV，其在应用到目前的QLED器件中，不利于和阴极电极材料（Al或Ag或AZO其功函数约为4.2 eV）或者阳极电极材料ITO或者FTO（其功函数4.6-4.7eV）形成有效的欧姆接触，也即是电极材料与传输材料之间能级势垒过大，不利于载流子的传输，因而影响器件的性能。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种金属氧化物及其制备方法和应用、QLED器件，旨在解决现有的钙钛矿型金属氧化物ABO₃应用到QLED的电子传输层中时，金属氧化物ABO₃与电极材料传输材料之间能级势垒过大，不利于载流子的传输的问题。

本发明的技术方案如下：

一种金属氧化物，其中，所述金属氧化物的化学式为A_(1-x)M_xBO₃；

其中，A为金属元素Ca、Sr和Ba中的一种或多种且B为金属元素Ti、Zr和Sn中一种或多种，M代表外层电子结构为(n-1)d⁵ns²的金属元素，0x1。

所述的金属氧化物，其中，所述M为金属元素Zn、Cd、Mn和Tc中一种或多种。

所述的金属氧化物，其中，0x0.4。

一种金属氧化物的制备方法，其中，包括步骤：

按摩尔份计，将含1-x 份A离子的A盐溶液、含x份M离子的M盐溶液及含1份B离子的B盐溶液混合，得到混合液；

将混合液进行热反应，即得到金属氧化物，，所述金属氧化物的化学式为A_(1-x)M_xBO₃；

其中，A为金属元素Ca、Sr和Ba中的一种或多种且B金属元素为Ti、Zr和Sn中一种或多种，M代表外层电子结构为(n-1)d⁵ns²的金属元素的离子，0x1。

所述的金属氧化物的制备方法，其中，所述M为金属元素Zn、Cd、Mn和Tc中一种或多种。

所述的金属氧化物的制备方法，其中，0x0.4。

所述的金属氧化物的制备方法，其中，所述A盐为金属元素A的硝酸盐、醋酸盐、氯化盐和醇盐中的一种或多种，和/或所述B盐为金属元素B的硝酸盐、醋酸盐、氯化盐和醇盐中的一种或多种，和/或所述M盐为金属元素M的硝酸盐、醋酸盐和氯化盐中的一种或多种。

所述的金属氧化物的制备方法，其特征在于，所述醇盐为甲醇盐、乙醇盐、丙醇盐、丁醇盐或者异丙醇盐。