[发明专利]一种金属氧化物及其制备方法、QLED器件有效

专利信息
申请号: 201711163222.5 申请日: 2017-11-21
公开(公告)号: CN109817839B 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 王宇;曹蔚然 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/56 分类号: H01L51/56;H01L51/50;H01L51/54
代理公司: 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 代理人: 王永文;刘文求
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 金属 氧化物 及其 制备 方法 qled 器件
【权利要求书】:

1.一种QLED器件,所述QLED器件包括阴极、电子传输层、发光层和阳极,其特征在于,所述电子传输层的材料为金属氧化物,所述金属氧化物为钙钛矿型金属氧化物,所述金属氧化物的化学式为A(1-x)MxBO3

其中,A为金属元素Ca、Sr和Ba中的一种或多种,且B为金属元素Ti、Zr和Sn中的一种或多种,M代表外层电子结构为(n-1)d5ns2的金属元素,0x1。

2.根据权利要求1所述的QLED器件,其特征在于,0x0.4。

3.一种QLED器件,所述QLED器件包括阴极、电子传输层、发光层和阳极,其特征在于,所述电子传输层的材料为金属氧化物,所述金属氧化物的制备方法包括步骤:

按摩尔份计,将含1-x份A离子的A盐溶液、含x份M离子的M盐溶液及含1份B离子的B盐溶液混合,得到混合液;

将混合液进行热反应,即得到金属氧化物,所述金属氧化物为钙钛矿型金属氧化物,所述金属氧化物的化学式为A(1-x)MxBO3

其中,A为金属元素Ca、Sr和Ba中的一种或多种,且B为金属元素Ti、Zr和Sn中的一种或多种,M代表外层电子结构为(n-1)d5ns2的金属元素,0x1。

4.根据权利要求3所述的QLED器件,其特征在于,0x0.4。

5.根据权利要求3所述的QLED器件,其特征在于,所述A盐为金属元素A的硝酸盐、醋酸盐、氯化盐和醇盐中的一种或多种,和/或所述B盐为金属元素B的硝酸盐、醋酸盐、氯化盐和醇盐中的一种或多种,和/或所述M盐为金属元素M的硝酸盐、醋酸盐和氯化盐中的一种或多种。

6.根据权利要求5所述的QLED器件,其特征在于,所述醇盐为甲醇盐、乙醇盐、丙醇盐、丁醇盐或者异丙醇盐。

7.根据权利要求3所述的QLED器件,其特征在于,当B为金属元素Ti和Zr中的一种或多种时,所述B盐为金属元素B的醇盐,所述B盐溶液的溶剂为有机溶剂。

8.根据权利要求3所述的QLED器件,其特征在于,当B为金属元素Sn时,所述B盐为金属元素B的硝酸盐、醋酸盐和氯化盐中的一种或多种。

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