[发明专利]透明导电膜及其电子装置

说明书

本发明提供了一种透明导电膜，所述透明导电膜包括由下往上层叠设置的透明基材、第一透明电介质层、第一抗氧化层、第一水汽阻隔层、金属合金层、第二抗氧化层、第二水汽阻隔层、第二透明电介质层和增透保护层，所述第一抗氧化层与所述第二抗氧化层各自独立的选自如下材料：金属、金属氮化物、金属氧化物中的至少一种，所述增透保护层为低折射层。本发明提供的透明导电膜层在原三明治结构基础上在电介质层与金属合金层之间分别增加了抗氧化层以及水汽阻隔层，在第二透明电介质层上增加了增透保护层，增加产品的透过率，具有较好的水汽阻隔效果，使产品具有很好的抗氧化性，提高产品的使用寿命。

技术领域

本发明涉及透明膜领域，尤其涉及透明导电膜及其电子装置。

背景技术

近年来，随着半导体制造技术及光伏技术突飞猛进的发展，诸如平面显示器、触控屏、窗膜、聚合物分散液晶、太阳能电池等技术迅速发展和完善，这些新技术都需要用到透明导电膜作为电极、受光面或者电磁脉冲屏蔽膜。以触控屏为例，触控屏中常用的几种类型如电阻式触控屏、表面电容式触控屏、感应电容式触控屏都需要利用透明导电膜作为电极材料。

透明导电膜公认的定义为在可见光范围为透明的，并且具有较低的电阻率。目前常用的透明导电膜有ITO(氧化铟锡)膜、AZO(掺铝氧化锌) 膜以及三氧化二铝等。

经文献检索发现，1998年M.Bender和W.Seelig等人在《Thin SolidFilms》第326(1998)67-71上撰文“Dependence of film composition and thickness on optical andelectrical properties of ITO-metal-ITO multilayers(ITO-金属-ITO多层膜光电性能与其膜厚及组成的关系)”，该问题出ITO/AG/ITO(I/M/I)多层膜取代单一的ITO膜，企图获得更好的导电性能和更低的成本。但这种三明治结构的光电性能没能达到人们的期望值。之后上海交通大学的一个课题组提出了电介质层/金属层/电介质层的三明治结构，具有良好的导电性和较低的电阻。但这种结构的膜仍具有较厚的膜厚，在柔性基才PET上易脱落，附着性差，且暴露在空气中，组织不稳定，抗氧化能力差且耐候性测试500h差。

发明内容

本发明的目的在于针对上述存在的问题和不足，提供一种透明导电膜及基于其的电子装置，以解决上述问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

本发明一方面公开一种透明导电膜，所述透明导电膜包括由下往上层叠设置的透明基材、第一透明电介质层、第一抗氧化层、第一水汽阻隔层、金属合金层、第二抗氧化层、第二水汽阻隔层、第二透明电介质层和增透保护层，所述第一抗氧化层与所述第二抗氧化层各自独立的选自如下材料：金属、金属氮化物、金属氧化物中的至少一种，所述增透保护层为低折射层。

优选的，所述第一抗氧化层与所述第二抗氧化层各自独立的选自如下材料：Ti、Ni、Cr、NiCr、TiN、ZnO、TiO2、SnO2、SiO2、Nb2O5、Ta2O5、 Si3N4中的至少一种。

优选的，所述增透保护层的材料为MgF2、SiO2、冰晶石中的一种或多种。

优选的，所述第一水汽阻隔层与所述第二水汽阻隔层各自独立的选自如下材料：金属层、金属氮化物层、金属氧化物层中的至少一种。

优选的，所述第一透明电介质层与所述第二透明电介质层各自独立的选自如下材料：

金属氧化物、氮化物、硫化物中的至少一种或所述金属氧化物、氮化物、硫化物中至少一种的掺杂物。

优选的，所述金属合金层为Ag合金层或Cu合金层，所述Ag合金层中Ag的比例不小于80％，所述Cu合金层中Cu的比例不小于80％。