[发明专利]透明导电膜及其电子装置在审
申请号: | 201711163163.1 | 申请日: | 2017-11-21 |
公开(公告)号: | CN108010605A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 王平;尹铮杰;张玉春 | 申请(专利权)人: | 张家港康得新光电材料有限公司 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;G06F3/041 |
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地址: | 215634 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 导电 及其 电子 装置 | ||
1.一种透明导电膜,其特征在于,所述透明导电膜包括由下往上层叠设置的透明基材、第一透明电介质层、第一抗氧化层、第一水汽阻隔层、金属合金层、第二抗氧化层、第二水汽阻隔层、第二透明电介质层和增透保护层,所述第一抗氧化层与所述第二抗氧化层各自独立的选自如下材料:金属、金属氮化物、金属氧化物中的至少一种,所述增透保护层为低折射层。
2.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述第一抗氧化层与所述第二抗氧化层各自独立的选自如下材料:
Ti、Ni、Cr、NiCr、TiN、ZnO、TiO2、SnO2、SiO2、Nb2O5、Ta2O5、Si3N4中的至少一种。
3.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述增透保护层的材料为MgF2、SiO2、冰晶石中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述第一水汽阻隔层与所述第二水汽阻隔层各自独立的选自如下材料:金属层、金属氮化物层、金属氧化物层中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述金属合金层为Ag合金层或Cu合金层,所述Ag合金层中Ag的比例不小于80%,所述Cu合金层中Cu的比例不小于80%。
6.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述透明基材的厚度为0.01~1mm,所述第一透明电介质层与所述第二透明电介质层的厚度各自独立的选自10~100nm,所述第一抗氧化层与所述第二抗氧化层的厚度各自独立的选自0.1~10nm,所述第一水汽阻隔层与所述第二水汽阻隔层的厚度各自独立的选自0.1~20nm,所述金属合金层的厚度为5~20nm,所述增透保护层的厚度为1~20nm。
7.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述透明导电膜在可见光范围内的透射率大于70%且阻值小于300Ω。
8.根据权利要求1所述的透明导电膜,其特征在于,所述透明导电膜包括由下往上层叠设置的Nb2O5层、Ti层、Si3N4层、Ag合金层、Ti层、Si3N4层、ITO层和SiO2层。
9.根据权利要求8所述的透明导电膜,其特征在于,所述Nb2O5层、Ti层、Si3N4层、Ag合金层、Ti层、Si3N4层、ITO层和SiO2层的厚度分别为30nm、0.5nm、3nm、10nm、1nm、5nm、45nm和8nm。
10.一种电子装置,其特征在于,包括如权利要求1至9中任一项所述的透明导电膜。
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